2026年大学生信息工程系模拟电子技术全册教案.docxVIP

模拟电子技术教案

信息工程系

目录

第一章第一讲第二讲第三讲第四讲第二章第五讲

理

第六讲

第七讲

第八讲

第九讲

第十讲

第十一讲

第三章

第十二讲效模型

第十三讲第四章第十四讲第十五讲第五章第十六讲第十七讲第十八讲第六章

第十九讲框图

第二十讲

第二十一讲第七章

第二十二讲第二十三讲第二十四讲第八章

第二十五讲

常用半导体器件

半导体基础知识

半导体二极管

双极型晶体管三极管

场效应管

基本放大电路

放大电路的主要性能指标及基本共射放大电路组成原

放大电路的基本分析方法

放大电路静态工作点的稳定

共集放大电路和共基放大电路场效应管放大电路

多级放大电路

习题课

放大电路的频率响应

频率响应概念、RC电路频率响应及晶体管的高频等

共射放大电路的频率响应以及增益带宽积功率放大电路

功率放大电路概述和互补功率放大电路改进型OCL电路

模拟集成电路基础

集成电路概述、电流源电路和有源负载放大电路差动放大电路

集成运算放大电路

放大电路的反馈

反馈的基本概念和判断方法及负反馈放大电路的方

深度负反馈放大电路放大倍数的估算负反馈对放大电路的影响

信号的运算和处理电路

运算电路概述和基本运算电路模拟乘法器及其应用

有源滤波电路

波形发生与信号转换电路

振荡电路概述和正弦波振荡电路

6、PN结的形成及其单向导电性

半导体中的载流子有两种有序运动：载流子在浓度差作用下的扩散运动和电场作用下的漂移运动。同一块半导体单晶上形成P型和N型半导体区域，在这两个区域的交界处，当多子扩散与少子漂移达到动态平衡时，空间电荷区(亦称为耗尽层或势垒区)的宽度基本上稳定下来，PN结就形成了。

当P区的电位高于N区的电位时，称为加正向电压(或称为正向偏置),此时，PN结导通，呈现低电阻，流过mA级电流，相当于开关闭合；

当N区的电位高于P区的电位时，称为加反向电压(或称为反向偏置),此时，PN结截止，呈现高电阻，流过μA级电流，相当于开关断开。

PN结是半导体的基本结构单元，其基本特性是单向导电性：即当外加电压极性不同时，PN结表现出截然不同的导电性能。

PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。这正是PN结具有单向导电性的具体表现。

7、PN结伏安特性

PN结伏安特性方程：

式中：Is为反向饱和电流；U为温度电压当量，当T=300K时，

UT≈26mV

当u0且uUr时，i≈Ise?,伏安特性呈非线性指数规律；

当u0且|u|U时，i≈-Is≈0,电流基本与u无关；由此亦可说明PN结具有单向导电性能。

PN结的反向击穿特性：当PN结的反向电压增大到一定值时，反向电流随电压数值的增加而急剧增大。PN结的反向击穿有两类：齐纳击穿和雪崩击穿。无论发生哪种击穿，若对其电流不加以限制，都可能造成PN结的永久性损坏。

8、PN结温度特性

当温度升高时，PN结的反向电流增大，正向导通电压减小。这也是半导体器件热稳定性差的主要原因。

9、PN结电容效应

PN结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定：一是势垒电容CB,二是扩散电容CD,它们均为非线性电容。

势垒电容是耗尽层变化所等效的电容。势垒电容与PN结的面积、空间电荷区的宽度和外加电压等因素有关。

扩散电容是扩散区内电荷的积累和释放所等效的电容。扩散电容与PN结正向电流和温度等因素有关。

PN结电容由势垒电容和扩散电容组成。PN结正向偏置时，以扩散电容为主；反向偏置时以势垒电容为主。只有在信号频率较高时，才考虑结电容的作用。

第二讲半导体二极管本讲重点

1、二极管的伏安特性、单向导电性及等效电路(三个常用模型);

2、稳压管稳压原理及简单稳压电路；

3、二极管的箱位、限幅和小信号应用举例；

本讲难点

1、二极管在电路中导通与否的判断方法，共阴极或共阳极二极管的优先导通问题；

2、稳压管稳压原理；

教学组织过程

本讲以教师讲授为主。用多媒体演示二极管的结构、伏安特性以及温度对二极管特性的影响等，便于学生理解和掌握。二极管的箱位、限幅和小信号应用举例可以启发讨论。

主要内容

1、半导体二极管的几种常见结构及其应用场合

在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分为点接触型、面接触型和平面型三大类。

点接触型二极管PN结面积小，结电容小，常用于检波和变频等高频电路。面接触型二极管PN结面积大，结电容大，用于工频大电流整流电路。平面型二极管PN结面积可