2026年大学生信息工程系模拟电子技术全册教案.pdfVIP

模拟电子技术教案

信息工程系

目录

第一章常用半导体器件

第一讲半导体基础知识

第二讲半导体二极管

第三讲双极型晶体管三极管

第四讲场效应管

第二章基本放大电路

第五讲放大电路的主要性能指标及基本共射放大电路组成原

理

第六讲放大电路的基本分析方法

第七讲放大电路静态工作点的稳定

第八讲共集放大电路和共基放大电路

第九讲场效应管放大电路

第十讲多级放大电路

第十一讲习题课

第三章放大电路的频率响应

第十二讲频率响应概念、RC电路频率响应及晶体管的高频等

效模型

第十三讲共射放大电路的频率响应以及增益带宽积

第四章功率放大电路

第十四讲功率放大电路概述和互功率放大电路

第十五讲改进型OCL电路

第五章模拟集成电路基础

第十六讲集成电路概述、电流源电路和有源负载放大电路

第十七讲差动放大电路

第十八讲集成运算放大电路

第六章放大电路的反馈

第十九讲反馈的基本概念和判断方法及负反馈放大电路的方

框图

第二十讲深度负反馈放大电路放大倍数的估算

第二十一讲负反馈对放大电路的影响

第七章信号的运算和处理电路

第二十二讲运算电路概述和基本运算电路

第二十三讲模拟乘法器及其应用

第二十四讲有源滤波电路

第八章波形发生与信号转换电路

第二十五讲振荡电路概述和正弦波振荡电路

6、PN结的形成及其单向导电性

半导体中的载流子有两种有序运动：载流子在浓度差作用下的扩

散运动和电场作用下的漂移运动。同一块半导体单晶上形成P型和N

型半导体区域，在这两个区域的交界处，当多子扩散与少子漂移达到

动态平衡时，空间电荷区（亦称为耗尽层或势垒区）的宽度基本上稳

定下来，PN结就形成了。

当P区的电位高于N区的电位时，称为加正向电压（或称为正向

偏置），此时，PN结导通，呈现低电阻，流过mA级电流，相当于开

关闭合；

当N区的电位高于P区的电位时，称为加反向电压（或称为反向

偏置），此时，PN结截止，呈现高电阻，流过uA级电流，相当于开

关断开。

PN结是半导体的基本结构单元，其基本特性是单向导电性：即

当外加电压极性不同时，PN结表现出截然不同的导电性能。

PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；

PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。这正

是PN结具有单向导电性的具体表现。

7、PN结伏安特性

PN结伏安特性方程：斐-J

式中：无为反向饱和电流；丛为温度电压当量，当T=300K时，

Utr26mV

当〃0且〃UT时，，知伏安特性呈非线性指数规律；

当V0且I〃|〉〉％时，^-孔部，电流基本与〃无关；由此亦

可说明PN结具有单向导电性能。

PN结的反向击穿特性：当PN结的反向电压增大到一定值时，反

向电流随电压数值的增加而急剧增大。PN结的反向击穿有两类：齐

纳击穿和雪崩击穿。无论发生哪种击穿，若对其电流不加以限制，都

可能造成PN结的永久性损坏。

8、PN结温度特性

当温度升高时，PN结的反向电流增大，正向导通电压减小。这

也是半导体器件热稳定性差的主要原因。

9、PN结电容效应

PN结具有一定的电容效应，它由两方面