CN112635492A 一种应变GeSiOI衬底及其制作方法 （广东省大湾区集成电路与系统应用研究院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN112635492A

(43)申请公布日2021.04.09

(21)申请号202011393106.4

(22)申请日2020.12.02

(71)申请人广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

地址510535广东省广州市广州开发区开

源大道136号A栋

(72)发明人亨利·H·阿达姆松王桂磊罗雪孔真真

(74)专利代理机构北京辰权知识产权代理有限公司11619

代理人金铭

(51)Int.CI.

HO1L27/12(2006.01)

HO1L21/762(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种应变GeSiOI衬底及其制作方法

(57)摘要

CN112635492A本发明涉及一种应变GeSiOI衬底及其制作方法。一种应变GeSiOI衬底包括由下至上依次堆叠的：硅衬底，第一氧化硅层，多个氮化硅分隔条；第二氧化硅层；Ge1-Si层。制作方法：制作支撑衬底：在第一硅衬底上依次沉积第一氧化硅层、氮化硅层；图案化所述氮化硅层形成多个分立的氮化硅分隔条，相邻分隔条之间形成沟槽；再形成第二氧化硅层，以填充沟槽并覆盖分隔条的上表面；制作施主衬底：在第二硅衬底上外延Ge?-xSi层；将支撑衬底和施主衬底键合、减薄，获得应变GeSiOI衬底。本发明在支撑衬底而非施主衬底中引入，利用这种工艺形成的GeSiOI

CN112635492A

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CN112635492A权利要求书1/1页

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1.一种应变GeSiOI衬底，其特征在于，包括由下至上依次堆叠的：

硅衬底，

第一氧化硅层，

多个氮化硅分隔条，所述分隔条间隔分布在所述第一氧化硅层的表面；

第二氧化硅层，所述第二氧化硅层填充所述分隔条之间的缝隙并覆盖所述分隔条；

Ge1-Si层；

其中，0x1。

2.根据权利要求1所述的应变GeSiOI衬底，其特征在于，在所述第二氧化硅层和所述

Ge?-xSi、层之间还包括高k介质层。

3.根据权利要求2所述的应变GeSiOI衬底，其特征在于，所述高k介质层为氧化铝。

4.根据权利要求1所述的应变GeSiOI衬底，其特征在于，0x≤0.3。

5.根据权利要求1所述的应变GeSiOI衬底，其特征在于，所述分隔条平行分布。

6.根据权利要求1-5任一项所述的应变GeSiOI衬底，其特征在于，所述硅衬底为硅

(100)衬底。

7.一种应变GeSiOI衬底的制作方法，其特征在于，包括：

制作支撑衬底：

提供第一硅衬底，在所述第一硅衬底上依次沉积第一氧化硅层、氮化硅层；图案化所述氮化硅层形成多个分立的氮化硅分隔条，相邻的氮化硅分隔条之间形成沟槽，所述沟槽穿透所述氮化硅层；再形成第二氧化硅层，所述第二氧化硅层填充所述沟槽并覆盖氮化硅分隔条的上表面；

制作施主衬底：

提供第二硅衬底，并在所述第二硅衬底上外延Ge?-Si、层，0x1;

键合：

以所述第二氧化硅层和所述Ge1-xSi、层为键合面，将所述支撑衬底和所述施主衬底键合，之后去除第二硅衬底，任选地对Ge?Si层减薄，获得应变GeSiOI衬底。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述制作施主衬底过程中，外延Ge1-Si层之后还包括：沉积高k介质层；

并且，在所述键合时，以所述第二氧化硅层和所述高k介质层为键合面。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述制作支撑衬底过程中，在刻蚀所述氮化硅层之后和形成所述第二氧化硅层之前还包括：退火处理氮化硅。

CN112635492A说明书1/4页

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一种应变GeSiO1衬底及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及半导体材料及生产工艺领域，特别涉及一种应变GeSiOI衬底及其制作方法。

背景技术

[0002]集成电路器件特征尺寸现已到达3-5nm,受物理效应的限制，要实现进一步微缩，新材料与材料工程必不可少。绝缘体上的锗硅GeSiOI(Germaniu