CN112730991A 一种用于微波场强探测的微型探头，制作方法及应用 （北京无线电计量测试研究所）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN112730991A

(43)申请公布日2021.04.30

(21)申请号202011469432.9

(22)申请日2020.12.14

(71)申请人北京无线电计量测试研究所

地址100854北京市海淀区永定路50号

(72)发明人陈星何巍薛潇博赵环王暖让张璐

(74)专利代理机构中国航天科工集团公司专利中心11024

代理人张国虹

(51)Int.CI.

GO1R29/08(2006.01)

B81C3/00(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

一种用于微波场强探测的微型探头，制作方法及应用

(57)摘要

CN112730991A本发明公开一种用于微波场强探测的微型探头，制作方法及应用，包括：将第一玻璃片晶圆置于中间，第一硅片晶圆与第二硅片晶圆分别置于第一玻璃片的上表面和下表面，键合形成硅-玻璃-硅晶圆；将键合好的硅-玻璃-硅晶圆进行打孔，按照原子气室的尺寸设计晶圆上孔的数目、尺寸及间距，形成原子气室晶圆；将原子气室晶圆作为上层，取第二玻璃片晶圆作为下层，进行键合，形成微型腔体；将工作物质或者工作物质的混合物填充于所述微型腔体的原子气室内，形成未密封机构；将第三玻璃片晶圆与上述未密封机构进行键合，形成密封机构；将所述密封机构的每一个原子气室切割下来，制作微型场强探

CN112730991A

CN112730991A权利要求书1/1页

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1.一种用于微波场强探测的微型探头的制作方法，其特征在于，包括：

步骤一、将第一玻璃片晶圆置于中间，第一硅片晶圆与第二硅片晶圆分别置于所述第一玻璃片的上表面和下表面，键合形成硅-玻璃-硅晶圆；

步骤二、将键合好的硅-玻璃-硅晶圆进行打孔，按照原子气室的尺寸设计晶圆上孔的数目、尺寸及间距，形成原子气室晶圆；

步骤三、将上述原子气室晶圆作为上层，取第二玻璃片晶圆作为下层，将所述原子气室晶圆与所述第二玻璃片晶圆进行键合，形成微型腔体；

步骤四、将工作物质或者工作物质的混合物填充于所述微型腔体的原子气室内，形成未密封机构；

步骤五、将第三玻璃片晶圆与上述未密封机构进行键合，形成密封机构；

步骤六、通过划片，将所述密封机构的每一个原子气室切割下来，制作微型场强探头。

2.根据权利要求1所述的用于微波场强探测的微型探头的制作方法，其特征在于：所述键合形成硅-玻璃-硅晶圆，包括：采用阳极键合的方法，将第一玻璃片晶圆接地，第一硅片晶圆与第二硅片晶圆接负电，在高温高压下完成三层阳极键合，将所述第一玻璃片晶圆、第一硅片晶圆与第二硅片晶圆键合在一起。

3.根据权利要求2所述的用于微波场强探测的微型探头的制作方法，其特征在于：将键合好的硅-玻璃-硅晶圆进行打孔采用激光打孔或者刻蚀的工艺。

4.根据权利要求3所述的用于微波场强探测的微型探头的制作方法，其特征在于：将所述原子气室晶圆与所述第二玻璃片晶圆进行键合，形成微型腔体，包括：采用阳极键合的方法，将第二玻璃片晶圆接负电，所述原子气室晶圆的第二硅片层接地，在高温高压下完成键合，形成微型腔体。

5.根据权利要求4所述的用于微波场强探测的微型探头的制作方法，其特征在于，将第三玻璃片晶圆与所述未密封机构进行键合，包括：采用阳极键合的方法，将第三玻璃片晶圆接负电，所述未密封机构的第一硅片层接地，在高温高压下完成键合。

6.根据权利要求5所述的用于微波场强探测的微型探头的制作方法，其特征在于，还包括：在所述第三玻璃片晶圆与所述未密封机构进行键合过程中，充入一定量的缓冲气体。

7.一种用于微波场强探测的微型探头，其特征在于：采用根据权利要求1所述的制作方法进行制造。

8.一种用于微波场强探测的微型探头的应用，其特征在于：将采用根据权利要求1所述的制作方法进行制造的微型探头进行微波场强探测，探测光通过左侧的玻璃照射入原子气室，耦合光通过右侧的玻璃照射入原子气室，微波通过上表面射入原子气室。

CN112730991A说明书1/4页

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一种用于微波场强探测的微型探头，制作方法及应用

技术领域

[0001]本发明属于微波场强探测技术领域，特别是一