CN113219754B 一种电致变色可调反射镜及其制作方法 (宁波祢若电子科技有限公司).docxVIP

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CN113219754B 一种电致变色可调反射镜及其制作方法 (宁波祢若电子科技有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113219754B(45)授权公告日2023.04.11

(21)申请号202110514115.2

(22)申请日2021.05.12

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113219754A

(43)申请公布日2021.08.06

(73)专利权人宁波祢若电子科技有限公司

地址315203浙江省宁波市镇海区蟹浦镇

慈海北路1819号

专利权人中国科学院宁波材料技术与工程研究所

GO2F1/1516(2019.01)

GO2F1/153(2006.01)

GO2F1/155(2006.01)

C23C14/08(2006.01)

C23C14/18(2006.01)

C23C14/30(2006.01)

C23C14/35(2006.01)

C25D9/02(2006.01)

审查员王梓骁

(72)发明人张洪亮曹鸿涛王坤王振华曹贞虎胡珊珊

(51)Int.CI.

GO2F1/1524(2019.01)

GO2F1/1523(2019.01)

权利要求书1页说明书6页附图1页

(54)发明名称

一种电致变色可调反射镜及其制作方法

(57)摘要

CN113219754B本发明公开了一种电致变色可调反射镜,所述反射镜包括:第一衬底,所述第一衬底上依次沉积有导电层和氧化钨膜层;第二衬底,所述第二衬底上依次沉积有导电层、反射层和金属有机骨架材料膜层;密封材料,其基本沿周向设置在所述第一衬底和第二衬底的外周区域之间,以将所述第一衬底和第二衬底密封地相互结合并限定一空腔;及电解质,其设置在所述空腔中,并与氧化钨膜层和金属有机骨架材料膜层接触。本发明的电致变色可调反射镜,解决了WO3基互补型电致变色器件电容匹配和电荷平衡问题,从而改善了WO3基的电致变色器件性能稳定性,进一步拓展了WO

CN113219754B

CN113219754B权利要求书1/1页

2

1.一种电致变色可调反射镜,其特征在于,所述反射镜包括:

第一衬底,所述第一衬底上依次沉积有导电层和氧化钨膜层;

第二衬底,所述第二衬底上依次沉积有导电层、反射层和金属有机骨架材料膜层;

密封材料,所述密封材料基本沿周向设置在所述第一衬底和第二衬底的外周区域之间,以将所述第一衬底和第二衬底密封地相互结合并限定一空腔;及

电解质,所述电解质设置在所述空腔中,并与氧化钨膜层和金属有机骨架材料膜层接触;

所述金属有机骨架材料是以二甲基咪唑作为有机配体,与Co、Mn、Fe和Ni中的至少一种金属离子通过配位键自组装形成的有机-无机杂化材料;所述金属有机骨架材料膜层的厚度为2~20μm;

所述电解质为锂离子基无水电解质;所述电解质由碳酸丙烯脂、高氯酸锂和醋酸复配组成。

2.如权利要求1所述的电致变色可调反射镜,其特征在于,所述氧化钨膜层的厚度为100~800nm。

3.如权利要求1所述的电致变色可调反射镜,其特征在于,所述反射层为银、金、铂中的至少一种。

4.如权利要求1所述的电致变色可调反射镜,其特征在于,所述电解质中锂离子摩尔浓度为0.1~1mol/L。

5.一种如权利要求1-4任一项所述的电致变色可调反射镜的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括以下步骤:

S1第一衬底及其膜层制备:提供第一衬底并在第一衬底上通过磁控溅射方法沉积导电的金属氧化物,得到带有导电层的第一衬底;再在所述导电层上通过电子束蒸发法或磁控溅射法制备得到氧化钨膜层;

S2第二衬底及其导电反射膜层制备:提供第二衬底并在第二衬底上通过磁控溅射方法沉积导电的金属氧化物,得到带有导电层的第二衬底;再在所述导电层上通过磁控溅射方法沉积反射层;

S3第二衬底金属有机骨架材料膜层制备:首先,配制金属有机骨架材料膜层前驱体溶液;其次,以步骤S2得到的第二衬底为工作电极,铂片为对电极,饱和AgCl电极为参比电极,所述金属有机骨架材料膜层前驱体溶液为电解液,在-2~-6V下恒电位沉积1~10min;冲洗、烘干后,得到沉积有金属有机骨架材料膜层的第二衬底;

S4成品制作:将步骤S1制备得到的第一衬底和S3制备得到的第二衬底,通过密封材料沿所述第一衬底和第二衬底的外周区域进行粘结,并限定一空腔,在所述空腔中真空灌注电解质,封

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