CN113206010A 半导体器件及其制作方法 （广东省大湾区集成电路与系统应用研究院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN113206010A

(43)申请公布日2021.08.03

(21)申请号202110486421.X

(22)申请日2021.04.30

(71)申请人广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

地址510535广东省广州市开发区开源大

道136号A栋

H01LH01L

29/66(2006.01)29/788(2006.01)

(72)发明人丁文波叶甜春

薛静

罗军赵杰

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

公司11227代理人姚璐华

(51)Int.CI.

HO1L21/28(2006.01)

HO1L27/11524(2017.01)

HO1L29/423(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图4页

(54)发明名称

半导体器件及其制作方法

(57)摘要

CN113206010A本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底的第一表面具有第一区域、第二区域和第三区域；在所述第三区域形成浮栅和控制栅；在所述第一表面内形成源极和漏极；形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所述第一区域和所述第二区域；形成第二氧化层，所述第二氧化层覆盖所述控制栅的侧壁和所述浮栅的侧壁；其中，在形成所述第一氧化层前，至少对所述第一区域进行非晶化离子注入，将所述第一区域非晶化，以使得所述第一氧化层的厚度大于所述第二氧化层的厚度。本方案可以实现在同一道工艺下

CN113206010A

CN113206010A权利要求书1/2页

2

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面，所述第一表面具有第一区域、第二区域和位于所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域；

在所述第三区域形成浮栅和控制栅，所述浮栅位于所述控制栅与所述第一表面之间；

在所述第一表面内形成源极和漏极，所述源极位于所述第一区域，所述漏极位于所述第二区域；

形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所述第一区域和所述第二区域；

形成第二氧化层，所述第二氧化层覆盖所述控制栅的侧壁和所述浮栅的侧壁；

其中，在形成所述第一氧化层前，至少对所述第一区域进行非晶化离子注入，将所述第一区域非晶化，以使得所述第一氧化层的厚度大于所述第二氧化层的厚度。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第三区域形成浮栅和控制栅的方法包括：

在所述第一表面形成第三氧化层；

图形化所述第三氧化层，露出所述第一区域和所述第二区域；

在所述第三氧化层背离所述半导体衬底的表面形成浮栅；

在所述浮栅背离所述第三氧化层的表面形成第四氧化层；

在所述第四氧化层背离所述浮栅的表面形成控制栅；

在所述控制栅背离所述第四氧化层的表面形成第五氧化层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述非晶化离子注入的注入离子为砷离子。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述非晶化离子注入的能量为30kev~50kev,剂量为1E14atom/cm2~1E15atom/cm2。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述非晶化离子注入的方向与所述第一表面相互垂直。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一氧化层的形成方法包括：

通入第一气体，延长所述第一气体的擦除时间；

在所述第一区域和所述第二区域的第一表面形成所述第一氧化层。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述擦除时间为5min～10min。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二氧化层的形成方法包括：

通入第二气体，通过化学气相沉积工艺，在所述浮栅的侧壁和所述控制栅的侧壁形成所述第二氧化层。

9.根据权利要求6-8任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第一气体为N?0,所述第二气体为DCS。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述第一区域形成擦除栅；

在所述第二区域形成选择栅。

11.一种如权利要求1-10任一项所述制作方法制备的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面，所述第一表面具有第一区域、第二区域和

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