CN113206010B 半导体器件及其制作方法 （广东省大湾区集成电路与系统应用研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113206010B(45)授权公告日2023.10.24

(21)申请号202110486421.X

(22)申请日2021.04.30

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113206010A

(43)申请公布日2021.08.03

(51)Int.CI.

H01L21/28(2006.01)H10B41/35(2023.01)H01L29/423(2006.01)H01L29/66(2006.01)H01L29/788(2006.01)

(73)专利权人广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

地址510535广东省广州市开发区开源大

道136号A栋

专利权人澳芯集成电路技术(广东)有限公司

(72)发明人丁文波叶甜春罗军

(72)发明人丁文波叶甜春

薛静

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

专利代理师姚璐华

(56)对比文件

CN102104044A,2011.06.22

CN111133515A,2020.05.08

CN103715144A,2014.04.09

US5918116A,1999.06.29

CN107305892A,2017.10.31

CN1577806A,2005.02.09

CN1420567A,2003.05.28

叶甜春.《集成电路器件工艺先导技术研究进展》.《科技导报》.2019,第37卷(第3期),第77页左栏第5行-第81页右栏第10行.

审查员马伟彬

权利要求书2页说明书7页附图4页

(54)发明名称

半导体器件及其制作方法

(57)摘要

CN113206010B本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底的第一表面具有第一区域、第二区域和第三区域；在所述第三区域形成浮栅和控制栅；在所述第一表面内形成源极和漏极；形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所述第一区域和所述第二区域；形成第二氧化层，所述第二氧化层覆盖所述控制栅的侧壁和所述浮栅的侧壁；其中，在形成所述第一氧化层前，至少对所述第一区域进行非晶化离子注入，将所述第一区域非晶化，以使得所述第一氧化层的厚度大于所述第二氧化层的厚度。本方案可以实现在同一道工艺下

CN113206010B

CN113206010B权利要求书1/2页

2

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面，所述第一表面具有第一区域、第二区域和位于所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域；

在所述第三区域形成浮栅和控制栅，所述浮栅位于所述控制栅与所述第一表面之间；

在所述第一表面内形成源极和漏极，所述源极位于所述第一区域，所述漏极位于所述第二区域；

形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所述第一区域和所述第二区域；

形成第二氧化层，所述第二氧化层覆盖所述控制栅的侧壁和所述浮栅的侧壁；

形成第三氧化层，所述第三氧化层覆盖所述第三区域；

形成第四氧化层，所述第四氧化层位于所述浮栅和所述控制栅之间，其中，所述第四氧化层为氧化层-氮化物层-氧化层；

其中，在形成所述第一氧化层前，至少对所述第一区域进行非晶化离子注入，将所述第一区域非晶化，以使得所述第一氧化层的厚度大于所述第二氧化层的厚度。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第三区域形成浮栅和控制栅的方法包括：

在所述第一表面形成第三氧化层；

图形化所述第三氧化层，露出所述第一区域和所述第二区域；

在所述第三氧化层背离所述半导体衬底的表面形成浮栅；

在所述浮栅背离所述第三氧化层的表面形成第四氧化层；

在所述第四氧化层背离所述浮栅的表面形成控制栅；

在所述控制栅背离所述第四氧化层的表面形成第五氧化层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述非晶化离子注入的注入离子为砷离子。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述非晶化离子注入的能量为30kev~50kev,剂量为1E14atom/cm2~1E15atom/cm2。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述非晶化离子注入的方向与所述第

一表面相互垂直。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一氧化层的形成方