CN112382672A 一种perc双面太阳能电池及其制作方法 （中建材浚鑫(桐城)科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN112382672A

(43)申请公布日2021.02.19

(21)申请号202011271350.3

(22)申请日2020.11.13

(71)申请人中建材浚鑫(桐城)科技有限公司地址231400安徽省安庆市桐城市经济开

发区北3路

(72)发明人康海涛胡燕吴中亚赵建飞郭万武张燕飞

HO1L31/068(2012.01)HO1L31/18(2006.01)H01L21/228(2006.01)

H01L21/306(2006.01)

H01L21/324(2006.01)

(74)专利代理机构无锡睿升知识产权代理事务

所(普通合伙)32376代理人姬颖敏

(51)Int.CI.

H01L31/0216(2014.01)

H01L31/0224(2006.01)

H01L31/0236(2006.01)

HO1L31/054(2014.01)

权利要求书2页说明书9页附图1页

(54)发明名称

一种PERC双面太阳能电池及其制作方法

(57)摘要

CN112382672A本发明涉及一种PERC双面太阳能电池及其制作方法；其特征在于：包括正面电极、背面电极，P型硅片基底，所述P型硅片基底的一面由内向外依次设置有N型掺杂层、正面二氧化硅层和正面氮化硅层，所述P型硅片基底的另一面由内向外依次设置有背面氧化铝层、背面氮化硅层和背面二氧化硅层；所述正面电极依次穿过所述正面氮化硅层和所述正面二氧化硅层；所述正面电极与所述N型掺杂层连接；所述背面电极依次穿过所述背面二氧化硅层、所述背面氮化硅层和所述背面氧化铝层；所述背面电极与所述P型硅片基底连接。解决了现有方案造成的无法从根本上

CN112382672A

步墓

步墓S1

表面织构

扩散

高温磷扩胶

圈光选择性扩救

步骤3

刻蚀及抛光刻蚀

抛光

步骤S

面盎层膜制备

双面二氧化硅制备

及热处理

双面二氧化硅

制备

热处理

步骤36

正面氮化硅层制备

背面盘光开橙

正常面电极制备

步骤S7步裘S8

步骤2

步骤5

CN112382672A权利要求书1/2页

2

1.一种PERC双面太阳能电池，其特征在于：包括正面电极、背面电极，P型硅片基底，所述P型硅片基底的一面由内向外依次设置有N型掺杂层、正面二氧化硅层和正面氮化硅层，所述P型硅片基底的另一面由内向外依次设置有背面氧化铝层、背面氮化硅层和背面二氧化硅层；所述正面电极依次穿过所述正面氮化硅层和所述正面二氧化硅层；所述正面电极与所述N型掺杂层连接；所述背面电极依次穿过所述背面二氧化硅层、所述背面氮化硅层和所述背面氧化铝层；所述背面电极与所述P型硅片基底连接。

2.一种PERC双面太阳能电池的制作方法，其特征在于：当PERC双面太阳能电池制作时，PERC双面太阳能电池的制作方法包括以下步骤：

步骤S1:表面织构；制绒清洗机对P型硅片进行表面织构；

步骤S2:扩散；扩散过程包括两次扩散；

高温磷扩散：氮气带动三氯氧磷充入扩散炉中，氧气充入扩散炉中；

激光选择性扩散：通过高能量激光器对硅片的正面电极区域选择性扩散照射；选择性扩散后方阻：70-80Ω;

步骤S3:刻蚀及抛光；刻蚀及抛光过程依次包括刻蚀和抛光；

刻蚀：通过质量百分比为49%的氢氟酸酸液对硅片的背面和硅片的边缘分别进行腐蚀；

抛光：通过质量百分比为47%的氢氧化钾和抛光添加剂对所述硅片的背面进行抛光；背面反射率：40-45%;

步骤S4:背面叠层膜制备；通过等离子体增强化学的气相沉积法在所述硅片的背面分别制备氧化铝膜层和氮化硅膜层；

步骤S5:双面二氧化硅制备及热处理；双面二氧化硅制备及热处理过程依次包括双面二氧化硅制备和热处理；

双面二氧化硅制备；所述硅片置于高温扩散炉内；采用热氧化方法分别在硅片的正面和硅片的反面沉积二氧化硅薄膜；

热处理；高温扩散炉内充入氢氮混合气体；氢氮混合气体流量：3000-5000sccm,高温扩散炉内温度：500℃,热处理时间：30min;

步骤S6:正面氮化硅层制备；采用原子层沉积设备在所述硅片的正面制备氮化硅层；

步骤S7:背面激光开槽；采用高能激光器对所述硅片的背面叠层钝化膜局部开槽；

步骤S8:正背面电极制备；背面印刷背电极和铝栅