CN112332216B 预离子布植的垂直腔面发射激光器的制作方法 （北京金太光芯科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN112332216B公告日2021.09.21

(21)申请号202011362089.8

(22)申请日2020.11.27

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112332216A

(43)申请公布日2021.02.05

(56)对比文件

CN111446620A,2020.07.24

US2002006144A1,2002.01.17US2003022406A1,2003.01.30CN101454954A,2009.06.10

CN108923261A,2018.11.30

(73)专利权人北京金太光芯科技有限公司

地址100006北京市东城区王府井大街

218-1号B4层A407

(72)发明人方照诒郭浩中潘德烈

(74)专利代理机构北京驰纳智财知识产权代理

事务所(普通合伙)11367代理人李佳佳

审查员陆顺开

(51)Int.CI.

HO1S5/183(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图1页

(54)发明名称

预离子布植的垂直腔面发射激光器的制作方法

(57)摘要

CN112332216B本发明提供一种预离子布植的垂直腔面发射激光器的制作方法，至少包括基底、第一反射镜层、主动区和第二反射镜层，制作方法包括：根据预先在所述第一反射镜层中标定的所述离子布植区域将离子布植到所述第一反射镜层中；在离子布植后，继续在所述第一反射镜层上进行二次外延生长，从而生成所述垂直腔面发射激光器；或，根据预先在所述第一反射镜层中标定的所述离子布植区域将离子布植到预先生成的部分垂直腔面发射激光器；在离子布植后，继续在

CN112332216B

(a)

(a)

CN112332216B权利要求书1/1页

2

1.一种预离子布植的垂直腔面发射激光器的制作方法，所述垂直腔面发射激光器至少包括基底(10)、第一反射镜层(20)、主动区(30)和第二反射镜层(40),其特征在于，所述制作方法包括：

根据预先在所述第一反射镜层(20)中标定的所述离子布植区域(21)将离子布植到所述第一反射镜层(20)中；

在离子布植后，继续在所述第一反射镜层(20)上进行二次外延生长；生成主动区(30); 根据所述离子布植区域(21)从所述主动区(30)的上表面将离子布植到所述主动区(30)中，以及在离子布植后，继续在所述主动区(30)上进行二次外延生长，从而生成所述垂

直腔面发射激光器；或，

在离子布植后，继续在所述第一反射镜层(20)上进行二次外延生长；依次生成所述主动区(30)和部分第二反射镜层(40);

根据所述离子布植区域(21)从所述部分第二反射镜层(40)的上表面将离子布植到所述主动区(30)和部分第二反射镜层(40)中；

在布植离子后，继续在该生成的部分第二反射镜层(40)上方进行二次外延生长，生成完整的第二反射镜层(40),从而生成所述垂直腔面发射激光器。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在生成所述基底(10)和所述第一反射镜层(20)之间，所述制作方法还包括：

生成第一导电层(50)。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在所述第二反射镜层(40)上方生成第二导电层(60)。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所布植的离子的极性与设置在所述基底(10)和所述第一反射镜层(20)之间的第一导电层(50)的极性相反。

CN112332216B说明书1/7页

3

预离子布植的垂直腔面发射激光器的制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及半导体芯片领域，具体涉及一种预离子布植的垂直腔面发射激光器的制作方法。

背景技术

[0002]在制作垂直腔面发射激光器(Vertical-CavitySurface-EmittingLaser,简称VCSEL,又译垂直共振腔面射型激光)的过程中，VCSEL光窗的定义方式主要有三种，分别是空气柱、离子布植以及氧化孔径等三