CN112329903A 磁性防伪元件、产品及其制作方法 （中钞特种防伪科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN112329903A

(43)申请公布日2021.02.05

(21)申请号202011240858.7

(22)申请日2020.11.09

(71)申请人中钞特种防伪科技有限公司

地址100070北京市丰台区科学城星火路6

号

申请人中国印钞造币总公司

(72)发明人常和峰孙慧娜田子纯王磊

(74)专利代理机构北京润平知识产权代理有限公司11283

代理人肖冰滨王晓晓

(51)Int.CI.

GO6K19/06(2006.01)

GO6K19/12(2006.01)

G06Q30/00(2012.01)

权利要求书2页说明书7页附图4页

(54)发明名称

磁性防伪元件、产品及其制作方法

(57)摘要

本发明实施例提供一种磁性防伪元件、产品及其制作方法，属于磁性防伪技术领域。所述磁性防伪元件包括：基材；位于所述基材上的基底层，所述基底层具有第一区域和第二区域，所述第二区域为模拟水印层，所述第二区域的不透明度小于所述第一区域的不透明度；以及磁性层，所述磁性层以嵌入方式与所述第二区域至少部分叠加。其能够提供新型磁性模拟水印特征，同时可以提高防伪元件厚度的均匀性和平整性，有效解决防伪元件的大生产制作难题，提高安全性、隐蔽性和敏感性，防伪工艺简单且不易被破

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CN112329903A权利要求书1/2页

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1.一种磁性防伪元件，其特征在于，所述磁性防伪元件包括：

基材；

位于所述基材上的基底层，所述基底层具有第一区域和第二区域，所述第二区域为模拟水印层，所述第二区域的不透明度小于所述第一区域的不透明度；以及

磁性层，所述磁性层以嵌入方式与所述第二区域至少部分叠加。

2.根据权利要求1所述的磁性防伪元件，其特征在于，所述磁性层具有高剩磁，所述磁性层的剩磁为100nWb/m至700nWb/m。

3.根据权利要求1所述的磁性防伪元件，其特征在于，所述第二区域的不透明度为部分均匀的、整体均匀的或整体不均匀的。

4.根据权利要求1所述的磁性防伪元件，其特征在于，所述磁性层包括连续的磁性区域。

5.根据权利要求4所述的磁性防伪元件，其特征在于，所述连续的磁性区域中嵌入有以下中的一种或多者：镂空文字、图案或标志。

6.根据权利要求1所述的磁性防伪元件，其特征在于，所述磁性层包括不连续的磁性区域，采用磁性传感器能够检测出与所述磁性层相对应的周期和/或非周期的磁性编码波形信息。

7.根据权利要求6所述的磁性防伪元件，其特征在于，所述磁性区域的形状被设置为文字、图案或标志。

8.根据权利要求1所述的磁性防伪元件，其特征在于，所述模拟水印层的宽度范围为2mm至7mm,优选为2.5mm至4mm,所述模拟水印层的宽度大于所述磁性层的宽度。

9.根据权利要求8所述的磁性防伪元件，其特征在于，所述磁性层的宽度范围为1mm至6mm,优选为1.5mm至3mm。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的磁性防伪元件，其特征在于，所述磁性区域的构成材料为磁性材料和/或磁性导电材料。

11.根据权利要求10所述的磁性防伪元件，其特征在于，所述磁性材料包括硬磁材料和/或软磁材料。

12.根据权利要求1至9中任一项所述的磁性防伪元件，其特征在于，所述基底层和所述磁性层形成在所述基材的相同表面或不同表面。

13.根据权利要求1所述的磁性防伪元件，其特征在于，所述基材为透明介质薄膜并且具有相互对立的第一表面和第二表面，所述基底层和所述磁性层形成在所述基材的第一表面上，所述磁性防伪元件还包括：形成在所述磁性层和所述基底层之上第一功能涂层，用于至少对所述磁性层起到遮盖作用。

14.根据权利要求10所述的磁性防伪元件，其特征在于，所述磁性防伪元件还包括：

形成于所述第二表面上的第二功能涂层。

15.根据权利要求1所述的磁性防伪元件，其特征在于，所述基材为透明介质薄膜并且具有相互对立的第一表面和第二表面，其中：

所述磁性层形成在所述基材的第一表面上，所述磁性层上形成有第一功能涂层；以及所述基底层形成在所述基材的第二表面上，所述基底层上形成有第二功能涂层。

16.根据权利要求13或15所述的磁性防伪元件，其特征在于，所述第一功能涂层为白涂

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