CN112447867A 太阳能电池结构及其制作方法 （财团法人金属工业研究发展中心）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN112447867A

(43)申请公布日2021.03.05

(21)申请号201910821903.9

(22)申请日2019.09.02

(71)申请人财团法人金属工业研究发展中心地址中国台湾高雄市楠梓区811高楠公路

1001号

(72)发明人田伟辰洪政源叶昌鑫吴以德

(74)专利代理机构北京中誉威圣知识产权代理

有限公司11279代理人席勇董云海

(51)Int.CI.

H01L31/0288(2006.01)

HO1L31/0368(2006.01)

HO1L31/068(2012.01)

HO1L31/18(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图3页

(54)发明名称

太阳能电池结构及其制作方法

(57)摘要

CN112447867A116112102B102102A106Tuo6,114本发明公开了一种太阳能电池结构及其制作方法，太阳能电池结构包含半导体基板、钝化层、穿隧层和掺杂结晶硅层。半导体基板具有相对的第一侧和第二侧。钝化层位于半导体基板的第一侧。穿隧层位于半导体基板的第二侧。掺杂

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CN112447867A权利要求书1/1页

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1.一种太阳能电池结构，其特征在于，包含：

半导体基板，具有相对的第一侧和第二侧；

钝化层，位于所述半导体基板的第一侧；

穿隧层，位于所述半导体基板的第二侧；以及

掺杂结晶硅层，位于所述穿隧层的远离所述半导体基板的一侧边，所述掺杂结晶硅层包含多晶硅晶体，且所述掺杂结晶硅层的结晶度为50%～90%。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述掺杂结晶硅层包含互相堆叠的第一次掺杂结晶硅层和第二次掺杂结晶硅层，所述第一次掺杂结晶硅层位于所述穿隧层与所述第二次掺杂结晶硅层之间，且所述第二次掺杂结晶硅层的掺杂浓度大于所述第一次掺杂结晶硅层的掺杂浓度。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述第一次掺杂结晶硅层的掺杂浓度为1013个/立方厘米至1017个/立方厘米，且所述第二次掺杂结晶硅层的掺杂浓度为1017个/立方厘米至1021个/立方厘米。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述第一次掺杂结晶硅层与所述第二次掺杂结晶硅层的每一个的厚度为10纳米至50纳米。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述钝化层的材料为氧化铝、氧化钛、氧化锆、氧化铪、氮化硅或上述的组合。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述穿隧层的厚度为0.1纳米至3纳米。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述掺杂结晶硅层的厚度为20纳米至100纳米。

8.一种制作太阳能电池结构的方法，其特征在于，包含：

提供半导体基板；

通过高温氧化或化学气相沉积方式，在所述半导体基板的第一侧形成穿隧层；

通过第一沉积工艺，在所述穿隧层的远离所述半导体基板的侧形成掺杂结晶硅层，其中所述掺杂结晶硅层包含多晶硅晶体，且所述掺杂结晶硅层的结晶度为50%～90%;以及

通过第二沉积工艺，在所述半导体基板的相对于所述第一侧的第二侧形成钝化层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述穿隧层的远离所述半导体基板的一侧形成所述掺杂结晶硅层包含：

在所述穿隧层的远离所述半导体基板的一侧形成第一次掺杂结晶硅层，其中所述第一次掺杂结晶硅层的掺杂浓度为1013个/立方厘米至101?个/立方厘米；以及

在所述第一次掺杂结晶硅层的远离所述穿隧层的一侧形成第二次掺杂结晶硅层，其中所述第二次掺杂结晶硅层的掺杂浓度为1017个/立方厘米至1021个/立方厘米。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一沉积工艺包含形成第一次掺杂结晶硅层与第二次掺杂结晶硅层，其中所述第二次掺杂结晶硅层的工艺气体相对于所述第一次掺杂结晶硅层的工艺气体增加了掺杂物的反应气体。

CN112447867A说明书1/5页

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