CN112289852B 降低埋氧层泄漏电流的soi器件结构及其制作方法 （北京芯可鉴科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN112289852B公告日2021.05.11

(21)申请号202011471670.3

(22)申请日2020.12.15

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112289852A

(43)申请公布日2021.01.29

(73)专利权人北京芯可鉴科技有限公司

地址102200北京市昌平区双营西路79号

院中科云谷园11号楼一层

专利权人北京智芯微电子科技有限公司

国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司

国网信息通信产业集团有限公司西安电子科技大学

国家电网有限公司

国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)

(72)发明人赵东艳王于波陈燕宁付振刘芳王立城庞振江彭业凌

张宏涛任晨张龙涛马晓华

曹艳荣赵扬周芝梅万勇陈琳杜艳

(74)专利代理机构北京润平知识产权代理有限公司11283

代理人肖冰滨王晓晓

(51)Int.CI.

H01L29/10(2006.01)

H01L29/78(2006.01)

H01L21/336(2006.01)

H01L21/762(2006.01)

(56)对比文件

CN102938418A,2013.02.20

CN103748687A,2014.04.23

CN110491827A,2019.11.22

CN1160291A,1997.09.24

US2006289904A1,2006.12.28

审查员张跃

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构及其制

作方法

(57)摘要

本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI 器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件 结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底； 形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋 氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位 于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即 所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由 二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠m形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为

CN112289852源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI

CN112289852

的散热性能。

CN112289852B权利要求书1/1页

2

1.一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构，其特征在于，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源电极和漏电极，所述栅区与所述源电极和所述漏电极之间存在有间隙；

所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述栅区与所述源电极和所述漏电极之间的间隙被SiN钝化层覆盖；

所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离；

所述有源区具有与所述埋氧层的沟槽契合对接的凸台。

2.根据权利要求1所述的降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构，其特征在于，所述衬底由SiC制成。

3.根据权利要求1所述的降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构，其特征在于，所述埋氧

层由Si?N?或Al?0?制成。

4.根据权利要求1所述的降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构，其特征在于，所述埋氧层的厚度介于100nm-140nm。

5.根据权利要求1所述的降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构，其特征在于，所述沟槽为一个或多个。

6.一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

S1)在半导体衬底上形成埋氧层；

S2)自所述埋氧层上表面向下形成沟槽；

S3)在所述埋氧层上表面形成有源区，所述有源区具有与所述埋氧层的沟槽契合对接的凸台；

S4)在所述有源区表面覆盖生长形成二氧化硅层，在所述二氧化硅层表面覆盖生长形成高K介质层，以及在所述高K介质层表面覆盖生长形成多晶硅层，由下而上层叠形成多晶硅栅极；

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