CN112420815B 一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN112420815B公告日2021.09.24

(21)申请号202011301550.9

(22)申请日2020.11.19

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112420815A

(43)申请公布日2021.02.26

(73)专利权人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人张有润罗佳敏陈航罗茂久张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

代理人霍淑利

(51)Int.CI.

HO1L29/08(2006.01)

H01L29/10(2006.01)

H01L29/744(2006.01)

H01L21/332(2006.01)

审查员王艳

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明名称

一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制作方法

(57)摘要

CN112420815B本发明属于功率半导体器件领域，具体地说涉及一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制作方法，所述晶闸管包括阳极、阴极和栅极三个电极，还包括P-N-P-N四层结构，其中，所述P-N-P-N四层结构包括N型碳化硅衬底、N型碳化硅缓冲层、P型碳化硅缓冲层、P-碳化硅长基区、N型碳化硅短基区、N+门极欧姆接触区以及P+碳化硅阳极区，其中，P-碳化硅长基区、N型碳化硅短基区、P+碳化硅阳极区呈凹槽状。本发明所提出的碳化硅门极可关断晶闸管一方面增大了P+碳化硅阳极区的面积，另一方面增大了N型碳化硅短基区与P-碳化硅长基区的接触面积，从而使得非平衡载流子注入与抽取增强，上层PNP晶体管的电流增益

CN112420815B

CN112420815B权利要求书1/1页

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1.一种碳化硅门极可关断晶闸管，其特征在于：包括由下至上依次层叠设置的阴极欧姆接触电极(1)、N型碳化硅衬底(2)、N型碳化硅缓冲层(3)、P型碳化硅缓冲层(4)和P-碳化硅长基区(5),所述P-碳化硅长基区(5)的上表面呈凹槽状，N型碳化硅短基区(6)、P+碳化硅阳极区(9)和阳极欧姆接触电极(10)依次位于所述P-碳化硅长基区(5)上，且所述N型碳化硅短基区(6)和P+碳化硅阳极区(9)形成台面结构，所述N型碳化硅短基区(6)的顶层两侧分别具有N+门极欧姆接触区(7),所述N+门极欧姆接触区(7)上具有门极欧姆接触电极(8),所述门极欧姆接触电极(8)和所述阳极欧姆接触电极(10)之间具有阻挡层。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅门极可关断晶闸管，其特征在于：所述N型碳化硅衬底(2)为4H-SiC单晶衬底、6H-SiC单晶衬底或3C-SiC单晶衬底中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅门极可关断晶闸管，其特征在于：所述N型碳化硅衬底(2)的厚度为300～350μm;N型碳化硅缓冲层(3)的厚度为1.0～2.0μm,掺杂浓度为2x101?cm3~5x101?cm?3;P型碳化硅缓冲层(4)的厚度为2.0～3.0μm,掺杂浓度为2x101?cm?3~5x101?cm?3;P-碳化硅长基区(5)的厚度为80～100μm,掺杂浓度为1x101?cm3~3x101?cm?3。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅门极可关断晶闸管，其特征在于：P-碳化硅长基区

(5)所形成的凹槽深度至少为2.0μm,凹槽侧壁与平面形成的倾角为30°~60°,凹槽底部长度至少为15.0μm。

5.根据权利要求1所述的一种碳化硅门极可关断晶闸管，其特征在于：N型碳化硅短基区(6)的厚度为1.0～2.5μm,掺杂浓度为1.5x101?cm?3~4x101?cm?3;P+碳化硅阳极区(9)的厚度为2.0～5.0μm,掺杂浓度为2x101?cm3~5x101?cm3。

6.根据权利要求1所述的一种碳化硅门极可关断晶闸管，其特征在于：凹槽顶部的P+碳化硅阳极区(9)搭在N型碳化硅短基区(6)上方的长度至少为1.5μm。

7.一种碳化硅门极可关断晶闸管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：选取N型碳化硅衬底(2),在N型碳化硅衬底(2)上依次外延N型碳化硅缓冲层(3)、P型碳化硅缓冲层(4)和P-碳化硅长基区(5);

第二步：对P-碳化硅长基区(5)