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………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

电子科技大学二零零七至二零零八学年第一学期期中考试

模拟电路基础课程考试题B卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期2006年11月11日

课程绩构成：平时10分，期中30分，实验0分，期末60分

一二三四五合计

一（10分）、问答题

1．（3分）普通二极管的最主要的特性是什么？利用这一特性，二极管可以构成哪些应用电路（列出四类不同

的应用电路）？分析这些应用电路的工作原理时，分别采用二极管的什么模型？

2．（1分）稳压二极管工作在击穿区时的交流小信号等效电阻与正偏导通时的交流小信号等效电阻比较，一

般来说，哪个大？

3．（2分）基本共射放大电路中，在无负载的情况下，动态范围最大值是什么？为了获得最大的动态范围，静

态工作点应如何设置？

4．（3分）BJT放大电路中，判断波形失真（饱和失真或截止失真）、动态范围通常采用直流负载线还是交流负

载线？静态工作点的变化如何影响失真类型和动态范围？

5．（1分）BJT的rce和MOSFET的rds与厄利电压之间的关系式描述了晶体管输出特性曲线的什么现象？

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二（4分）、试推导BJT和MOSFET的gm的表达式，并说明：在一般情况下，为什么单级MOSFET放大电路

增益不及单级BJT放大电路大？

三（8分）、放大电路如图1所示，已知BJT的VBE=0.7V，rbb’=0，β=200。

（1）求放大电路在中频段的输入电阻R和电压放大倍数A；

iv

（2）说明电阻RE的作用。

（3）去掉电路中的电容C后，重新计算输入电阻R和电压放大倍数A。

Eiv

（4）根据（1）和（3）的结果说明电容CE的作用。

图1

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四（8分）、电路如图2所示，晶体管参数为：开启电压（或门限电压）VTN=1V，Kn=1mA/V，rDS=∞。电

路参数为V=8V，R=444kΩ，R=922kΩ，R=1.5kΩ。

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（1（计算静态工作点。

（2（求输入电阻R、小信号电压增益A=v/v和输出电阻R。

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