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………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

电子科技大学二零零七至二零零八学年第一学期期中考试

模拟电路基础课程考试题A卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期2006年11月11日

课程绩构成：平时10分，期中30分，实验0分，期末60分

一二三四五合计

一（10分）、问答题

1．（3分）写出二极管的伏安特性方程，以此阐述二极管的单向导电性，并分别导出二极管的大信号模型和导

通时的小信号模型。

2．（1分）由稳压二极管构成的最简稳压电路中，限流电阻的作用是什么？

3．（1分）放大电路中，为什么静态工作点一般应选择在放大区的中央位置？

4．（3分）交流小信号放大电路中，为什么需要直流通路？什么是静态工作点？为什么要稳定静态工作点？

5．（2分）分别画出BJT的β模型和MOSFET的gm模型，并说明模型参数与静态工作点之间的关系。

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二（5分）、有两类单级电压放大电路A和B，它们的交流参数如下表所示：

负载开路时的电压增益输入电阻输出电阻

A505kΩ50kΩ

B0.850kΩ50Ω

现有一个内阻为50Ω、电压振幅为1mV的正弦电压源（假定其频率在两个放大器及其级联放大器的

通带范围内）需要放大成振幅为1V的正弦电压，假设负载电阻为50kΩ。请画出最可能满足上述要求的三

级放大电路（每一级放大电路都只能从单级放大电路A和B中选择）的连接框图。

三（7分）、放大电路如图1所示，已知BJT的VBE=0.7V，rbb’=0，β=100。

（1）估算静态工作点I、V；

CQCEQ

（2）求放大器在中频段的R,R,A,A。

iovvs

图1

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2

四（8分）、电路如图2所示，晶体管参数为：开启电压（或门限电压）VTN=1V，Kn=1mA/V，rDS=∞。电

路参数为V=8V，输入电阻R=300kΩ。

DDi

（1（设计电路参数R、R和R，使I=2mA，V=5V；