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CMOS工艺下金属互连线电迁移可靠性的深度剖析与提升策略

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代集成电路制造领域，互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺凭借其低功耗、高集成度、良好的抗干扰能力等显著优势，成为了集成电路制造的主流技术，被广泛应用于计算机、通信、消费电子等众多领域。随着集成电路集成度的不断提高以及特征尺寸持续向深亚微米乃至纳米级迈进，CMOS工艺中的金属互连线在整个集成电路系统中的重要性愈发凸显。金属互连线作为连接集成电路中各个器件的关键桥梁，承担着信号传输与电力供应的核心任务，其性能与可靠性直接关乎集成电路能否稳定、高效地运行。

然而，随着CMOS工艺制程的不断缩小，金