电子器件用氮化镓外延片.pdfVIP

ICS29.045

CCSH83

中华人民共和国国家标准

XXXXX—XXXX

`

电子器件用氮化镓外延片

Galliumnitrideepitaxialwafersforelectronicdevices

（工作组讨论稿）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

XXXXX—XXXX

目次

前言II

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4分类1

5技术要求1

标称边缘去除2

衬底材料2

外延层2

电学特性2

几何参数2

表面金属3

正表面质量3

表面粗糙度4

表面颗粒4

6取样4

7试验方法4

外延层4

电学特性5

几何参数5

表面金属5

正表面质量5

表面粗糙度6

表面颗粒6

8检验规则6

检查和验收6

组批6

检验项目6

检测结果的判定6

9标志、标签和随行文件7

标志、标签7

随行文件7

包装、运输和贮存7

I

XXXXX—XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化

技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。

本文件起草单位：北京大学东莞光电研究院等

本文件主要起草人：刘强等

II

XXXXX—XXXX

电子器件用氮化镓外延片

1范围

本文件规定了电子器件用氮化镓外延片（以下简称“氮化镓外延片”）的分类、技术要求、取样、

试验方法、检验规则、标志、随行文件及包装、运输和贮存。

本文件适用于在硅、蓝宝石或碳化硅衬底上生长的具有复合结构的氮化镓外延片的研发生产，测试

分析及质量评价。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T2828.1—2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划

GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T12964硅单晶抛光片

GB/T14264半导体材料术语