CN113725353B Mtj器件及其制作方法以及mram （广东省大湾区集成电路与系统应用研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113725353B(45)授权公告日2024.05.03

(21)申请号202111032793.1

(22)申请日2021.09.03

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113725353A

(43)申请公布日2021.11.30

(73)专利权人广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

地址510535广东省广州市开发区开源大

道136号A栋

专利权人锐立平芯微电子(广州)有限责任

公司

(72)发明人毛永吉叶甜春罗军赵杰

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

专利代理师姚璐华

(51)Int.CI.

H10N50/10(2023.01)

H10N50/80(2023.01)

H10N50/01(2023.01)

H10B61/00(2023.01)

(56)对比文件

US2019027682A1,2019.01.24

US2021135090A1,2021.05.06

US2020341079A1,2020.10.29

US2021257545A1,2021.08.19

DE102004039978A1,2005.06.23CN109585645A,2019.04.05

CN111640761A,2020.09.08

US2013058162A1,2013.03.07US2014203383A1,2014.07.24US2015021675A1,2015.01.22

审查员王赟

权利要求书2页说明书8页附图10页

(54)发明名称

MTJ器件及其制作方法以及MRAM

(57)摘要

CN113725353B本发明提供了一种MTJ器件及其制作方法以及MRAM,该MTJ器件包括：衬底；设置在所述衬底上的叠层结构，所述叠层结构具有多层依次层叠的功能层；所述叠层结构包括：第一部分MTJ、第二部分MTJ和第三部分MTJ;所述第一部分MTJ中任一所述功能层的延伸方向与所述第三部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向平行，且垂直于所述第二部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向；所述第一部分MTJ中任一所述功能层与所述第三部分MTJ中同一所述功能层位于所述第二部分MTJ中同一所述功能层的两侧。应用本发明技术

CN113725353B

CN113725353B权利要求书1/2页

2

1.一种MTJ器件，其特征在于，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的叠层结构，所述叠层结构具有多层依次层叠的功能层；所述叠层结构包括：第一部分MTJ、第二部分MTJ和第三部分MTJ;

所述第一部分MTJ中任一所述功能层的延伸方向与所述第三部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向平行，且垂直于所述第二部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向；

所述第一部分MTJ中任一所述功能层与所述第三部分MTJ中同一所述功能层位于所述第二部分MTJ中同一所述功能层的两侧；

所述衬底设置所述层叠结构的表面为第一表面，所述第一表面包括第一区域和第二区域；所述第一区域具有第一绝缘介质层；所述第三部分MTJ位于所述第二区域；

在预设表面依次层叠设置有所述层叠结构的各个功能层；

其中，所述预设表面包括：所述第二区域、所述第一绝缘介质层背离所述第一区域的表面以及所述第一绝缘介质层靠近所述第二区域的侧面；三部分MTJ呈“Z”型结构；

所述多层依次层叠的功能层包括：设置于所述预设表面上的第一电极层；设置于所述第一电极功能层背离所述预设表面一侧的参考层；设置于所述参考层背离所述第一电极功能层一侧的隧道势垒层；设置于所述隧道势垒层背离所述参考层一侧的自由层；设置于所述自由层背离所述隧道势垒层一侧的第二电极层。

2.根据权利要求1所述的MTJ器件，其特征在于，所述第一表面还包括第三区域；所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间；

具有覆盖所述第三区域以及所述叠层结构的第二绝缘介质层；

所述第一表面为金属层，所述金属层与所述第一电极层连接；所述第二绝缘介质层具有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔露出所述第三区域的金属层，所述第二通孔露出所述第二电极层；

所述第二绝缘介质层背离所述衬底的一侧表面具有布线层，所述布线层通过所述第一通孔与所述金属层连接，通过所述第二通孔与所述第二电极层连接。

3.根据权利要求1所述的MTJ器