CN113725186A 芯片焊盘结构、芯片、晶圆及芯片焊盘结构制作方法 （北京智芯微电子科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN113725186A

(43)申请公布日2021.11.30

(21)申请号202111288715.8H01L21/60(2006.01)

(22)申请日2021.11.02

(71)申请人北京智芯微电子科技有限公司

地址100192北京市海淀区西小口路66号

中关村东升科技园A区3号楼

申请人国网信息通信产业集团有限公司

国家电网有限公司

北京智芯半导体科技有限公司

(72)发明人张贺丰林杰李建强李延王文赫

(74)专利代理机构北京润平知识产权代理有限公司11283

代理人陈潇潇李红

(51)Int.CI.

HO1L23/488(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图12页

(54)发明名称

芯片焊盘结构、芯片、晶圆及芯片焊盘结构制作方法

(57)摘要

CN113725186A本发明提供一种芯片焊盘结构、芯片、晶圆及芯片焊盘结构制作方法，属于芯片领域。芯片焊盘结构包括：第一绝缘层，包括沟槽；第一金属层，填充在沟槽中，第一金属层与芯片的内部电路相连接，形成导电通道；第二金属层，形成在第一金属层上，包括芯片与外部器件连接的焊盘区域；第二绝缘层，至少覆盖第二金属层在所述焊盘区域之外的部分以及第一金属层；焊盘区域包括测试焊盘区域和金凸块焊盘区域；金凸块焊盘区域包括多个子焊盘区域。在金凸块焊盘区域上电镀形成的金凸块表面不存在凹坑，同时能够保

CN113725186A

CN113725186A权利要求书1/2页

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1.一种芯片焊盘结构，其特征在于，所述芯片焊盘结构包括：

第一绝缘层，具有沟槽；

第一金属层，填充在所述第一绝缘层的沟槽中，所述第一金属层与芯片的内部电路连接形成导电通道；

第二金属层，形成在所述第一金属层上，所述第二金属层具有用于芯片与外部器件连接的焊盘区域；

第二绝缘层，至少覆盖第二金属层在所述焊盘区域之外的部分以及第一金属层；

所述焊盘区域包括测试焊盘区域和金凸块焊盘区域；所述金凸块焊盘区域包括多个子焊盘区域。

2.根据权利要求1所述的芯片焊盘结构，其特征在于，所述子焊盘区域的宽度与深度之间存在如下关系：二分之一深度宽度深度。

3.根据权利要求1所述的芯片焊盘结构，其特征在于，所述第一金属层的材料是铜或铝。

4.根据权利要求1所述的芯片焊盘结构，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材料均是二氧化硅。

5.根据权利要求1所述的芯片焊盘结构，其特征在于，所述第二金属层的材料是铝。

6.根据权利要求1所述的芯片焊盘结构，其特征在于，所述金凸块焊盘区域包括四个四边形子焊盘区域，所述四个四边形子焊盘区域呈田字格排列形成所述金凸块焊盘，四个四边形子焊盘区域两两之间间隔有第二绝缘层。

7.根据权利要求1所述的芯片焊盘结构，其特征在于，所述金凸块焊盘区域包括两个圆环形子焊盘区域，两个圆环形子焊盘区域同心且直径不同，两个圆环形子焊盘区域之间间隔有第二绝缘层。

8.根据权利要求1所述的芯片焊盘结构，其特征在于，所述金凸块焊盘区域包括三个圆形子焊盘区域，所述三个圆形子焊盘区域呈品字形排列形成所述金凸块焊盘，三个圆形子焊盘区域两两之间间隔有第二绝缘层。

9.一种芯片焊盘结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S1:图案化第一绝缘层，从而在所述第一绝缘层上形成沟槽；

S2:在所述沟槽内填充第一金属，形成第一金属层；

S3:在第一绝缘层和第一金属层上沉积第二金属，图案化所述第二金属，形成第二金属层；

S4:在第一绝缘层、第一金属层和第二金属层上沉积第二绝缘层，图案化所述第二绝缘层，形成包括测试焊盘区域和金凸块焊盘区域的芯片焊盘结构；所述金凸块焊盘区域包括多个子焊盘区域。

10.根据权利要求9所述的芯片焊盘结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

S101:在第一绝缘层上旋涂光刻胶；

S102:光照显影，去除待形成沟槽的区域的光刻胶；

S103:对第一绝缘层进行刻蚀处理，在第一绝缘层上形成所述沟槽；

S104:去除第一绝缘层上的所有光刻胶，得到具有沟槽的第一绝缘层。

11.根据权利要求10所述的芯片焊盘结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

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