- 0
- 0
- 约6.74千字
- 约 15页
- 2026-02-07 发布于重庆
- 举报
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN113692141A
(43)申请公布日2021.11.23
(21)申请号202110984113.X
(22)申请日2021.08.25
(71)申请人电子科技大学
地址611731四川省成都市高新区(西区)
西源大道2006号
申请人珠海方正科技高密电子有限公司
H05K3/00(2006.01)
H05K1/11(2006.01)
(72)发明人王守绪何知聪黎雨桐陈苑明
何为王翀周国云洪延
苏新虹陈德福
(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所
(普通合伙)51232代理人敖欢
(51)Int.CI.
HO5K3/42(2006.01)
H05K3/46(2006.01)
权利要求书1页说明书3页附图4页
(54)发明名称
一种印制电路孔互连结构及其制作方法
(57)摘要
CN113692141A本发明提供了一种印制电路孔互连结构及其制作方法,所述孔互连结构由第一子板、半固化片孔、芯板孔、半固化片孔、第二子板孔连接形成,第一子板孔和第二子板孔的孔径,大于半固化片孔和芯板孔的孔径。阶梯孔中只有第一子板孔、第二子板孔的孔内有金属化铜层。所述制作方法包括如下步骤:制作第一子板和第二子板,并分别在预设位置钻通孔;再通过热压的方式进行压合,形成母板;在第一、第二子板的通孔孔内进行第一次钻通孔,获得阶梯孔;孔金属化后在阶梯孔内进行第二次钻通孔,即可得到本发明中的孔互连结构。本发明用钻刀进行钻孔以断开内
CN113692141A
110
CN113692141A权利要求书1/1页
2
1.一种印制电路孔互连结构的制作方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)制作层数为m的第一子板(101),并用直径为D的钻刀在预设位置钻通孔,形成第一子板孔(103);
(2)制作层数为n的第二子板(102),并用直径为D的钻刀钻通孔,形成第二子板孔(104),所述第一子板孔(103)和第二子板孔(104)的中轴线对齐;
(3)从上往下按照第一子板(101)、半固化片(106)、芯板(105)、半固化片(106)、第二子板(102)的顺序叠好后通过热压的方式进行压合,形成母板,其中芯板层数为s层;
(4)对步骤(3)制得的母板钻孔,即在钻刀与第一子板孔、第二子板孔的中心轴线对齐的情况下,用直径为D的钻刀在第一子板孔(103)、第二子板孔(104)孔内进行第一次钻通孔,获得阶梯孔(108);
(5)对步骤(4)制得的含有阶梯孔(108)的母板进行孔金属化,使得阶梯孔壁形成铜层,形成金属化阶梯孔(109);
(6)在钻刀与阶梯孔的中心轴对齐的情况下,用直径为D的钻刀在阶梯孔内进行第二次钻通孔,即可得到一种印制电路孔互连结构(110),其中只有第一子板孔(103)、第二子板孔
(104)的孔内有金属化铜层。
2.根据权利要求1所述的一种印制电路孔互连结构的制作方法,其特征在于:所述步骤(1)、(2)、(4)、(6)中使用的钻刀直径大小关系为:DD.D。
3.根据权利要求1所述的一种印制电路孔互连结构的制作方法,其特征在于:子板层数m≥2,n≥2,芯板层数s≥2,且m、n和s均为正整数。
4.根据权利要求1所述的一种印制电路孔互连结构的制作方法,其特征在于:所述步骤(3)压合前在板边设置对位孔,使得第一子板孔(103)、第二子板孔(104)两孔中轴线对齐。
5.一种印制电路孔互连结构,其特征在于:含有阶梯孔,阶梯孔从上至下依次由中轴线对齐的第一子板孔(103)、半固化片孔、芯板孔、半固化片孔、第二子板孔(104)连接形成,其中第一子板孔(103)和第二子板孔(104)的孔径,大于半固化片孔和芯板孔的孔径。
6.根据权利要求5所述的一种印制电路孔互连结构,其特征在于:阶梯孔只有第一子板孔(103)、第二子板孔(104)的孔内有金属化铜层,阶梯孔其他孔内无金属化铜层。
7.根据权利要求5所述的一种印制电路孔互连结构,其特征在于:第一子板孔(103)、第二子板孔(104)的孔内径为0.1~0.6mm。
8.根据权利要求5所述的一种印制电路孔互连结构,其特征在于:芯板孔和半固化片孔的孔径,比第一子板孔(103)、第二子板孔(104)的孔径小0.02mm~0.2mm。
CN
您可能关注的文档
- CN113735496A 一种固废基复合砂浆浸渍板及其制作方法 (山西省交通科技研发有限公司).docx
- CN113730333A 一种用于制作本草防疫香包的配方及其制备方法 (随朴).docx
- CN113725186B 芯片焊盘结构、芯片、晶圆及芯片焊盘结构制作方法 (北京智芯微电子科技有限公司).docx
- CN113725186A 芯片焊盘结构、芯片、晶圆及芯片焊盘结构制作方法 (北京智芯微电子科技有限公司).docx
- CN113715139A 一种用于混凝土预制块的硅胶模具及制作方法及制作工艺 (中建八局发展建设有限公司).docx
- CN113712107B 一种酶法硬化间歇真空浸糖制作柑桔低糖蜜饯的方法 (西南大学).docx
- CN113712107A 一种酶法硬化间歇真空浸糖制作柑桔低糖蜜饯的方法 (西南大学).docx
- CN113711153B 地图制作系统、信号处理电路、移动体和地图制作方法 (日本电产株式会社).docx
- CN113711153A 地图制作系统、信号处理电路、移动体和地图制作方法 (日本电产株式会社).docx
- CN113689773A 一种冰脊龙骨非冻结模型及其制作方法 (江苏科技大学).docx
- 中国国家标准 GB/Z 37551.300-2026海洋能 波浪能、潮流能及其他水流能转换装置 第300部分:河流能转换装置发电性能评估.pdf
- GB/T 44937.3-2025集成电路 电磁发射测量 第3部分:辐射发射测量 表面扫描法.pdf
- 中国国家标准 GB/T 44937.3-2025集成电路 电磁发射测量 第3部分:辐射发射测量 表面扫描法.pdf
- 《GB/T 44937.3-2025集成电路 电磁发射测量 第3部分:辐射发射测量 表面扫描法》.pdf
- 中国国家标准 GB/T 44937.1-2025集成电路 电磁发射测量 第1部分:通用条件和定义.pdf
- GB/T 44937.1-2025集成电路 电磁发射测量 第1部分:通用条件和定义.pdf
- 《GB/T 44937.1-2025集成电路 电磁发射测量 第1部分:通用条件和定义》.pdf
- 中国国家标准 GB/T 4937.37-2025半导体器件 机械和气候试验方法 第37部分:采用加速度计的板级跌落试验方法.pdf
- 《GB/T 4937.10-2025半导体器件 机械和气候试验方法 第10部分:机械冲击 器件和组件》.pdf
- 中国国家标准 GB/T 44937.2-2025集成电路 电磁发射测量 第2部分:辐射发射测量TEM小室和宽带TEM小室法.pdf
最近下载
- 《客服部工作职能及岗位设置图.doc VIP
- 湖北省恩施州高中教育联盟2024-2025学年高一上学期期末考试英语试卷(含解析,含听力原文无音频).pdf VIP
- 人工智能—历史现在和未来(73页).pptx VIP
- 年产8900吨聚合草种植项目可行性研究报告.docx
- 佛马特fermator门机VVVF-4+门机调试说明书.pdf
- 公司策划方案风险对策.pptx VIP
- Sony索尼STR-DB790说明书 用户手册.pdf
- 北京市西城区2025-2026学年上学期期末考试初三物理试卷(含答案).pdf VIP
- 中成药配方详解:胃复春片.ppt
- 2025历年高考必备高频词汇汇编(800词背诵版).pdf
原创力文档

文档评论(0)