CN114114825A 一种掩模版优化方法及晶体管栅极制作工艺方法 （广东省大湾区集成电路与系统应用研究院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN114114825A布日2022.03.01

(21)申请号202210096861.9

(22)申请日2022.01.27

HO1L21/28(2006.01)

(71)申请人广东省大湾区集成电路与系统应用

研究院

地址510000广东省广州市黄埔区开发区

开源大道136号A栋

申请人澳芯集成电路技术(广东)有限公司

(72)发明人吴宗晔叶甜春朱纪军李彬鸿罗军赵杰

(74)专利代理机构无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)32260

代理人曹慧萍

(51)Int.CI.

GO3F1/36(2012.01)

GO3F7/20(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图4页

(54)发明名称

一种掩模版优化方法及晶体管栅极制作工艺方法

(57)摘要

CN114114825A本发明公开了一种掩模版优化方法及晶体管栅极制作工艺方法，该方法基于0PC修正模型实现，其特征在于，掩模版优化步骤包括：提供一目标版图；基于目标版图获取待成型的掩模版图型，掩模版图型包括栅极图型；判断栅极图型的宽度尺寸是否符合预先设定的阈值，若是，则进入下一步骤；获取辅助图型，将辅助图型作为预补值，基于预补值构建0PC修正模型；通过0PC修

CN114114825A

A1

A1

制成衬底

A2

S1

提供一目标版图

A3

S2

基于目标版图获取待成型的摘模版图型，掩模版图型包括横极图型

将晶体管测试样本的槽极宽度尺寸进行对比，若栅极宽度尺寸不一致，则进入步骤S4

A5

陕取辅助图型，将辅助图型作为预补值，基于预补值构建OPC修正模型

S5

通过OPC修正模型对交界区域的棚极图型进行自动修正，获得优化掩模版

对埋氧层的一侧进行刻蚀，获取刻蚀区域

在刻蚀区域沉积另一层埋氧层

在原埋氧层与重新覆盖埋氧层的上方沉积多晶硅

采用优化掩膜版对多晶硅进行处理，获得宽度优化的栅极

在衬底沉积埋氧层

A6

A4

CN114114825A权利要求书1/2页

2

1.一种掩模版优化方法，该方法基于OPC修正模型实现，其特征在于，掩模版优化步骤包括：

S1、提供一目标版图；

S2、基于目标版图获取待成型的掩模版图型，所述掩模版图型包括栅极图型；

S3、将晶体管测试样本的栅极宽度尺寸进行对比，若栅极宽度尺寸不一致，则进入步骤S4;

S4、获取辅助图型，将所述辅助图型作为预补值，基于所述预补值构建所述OPC修正模型；

S5、通过所述OPC修正模型对掩模版上交界区域对应的栅极图型进行自动修正，获得优化掩模版。

2.根据权利要求1所述的掩模版优化方法，其特征在于，步骤S2中，所述栅极图型包括第一栅极图型、第二栅极图型；步骤S3中，晶体管测试样本的栅极包括第一栅极、第二栅极，将交界区域对应的第一栅极与非交界区域对应的第二栅极的宽度尺寸进行对比，若两者宽度差值超过预先设定的阈值，则进入步骤S4,若两者宽度差值未超过预先设定的阈值，则无需优化。

3.根据权利要求2所述的掩模版优化方法，其特征在于，步骤S4中，所述辅助图型的获取步骤包括：

S41、预先收集测量数据，所述测量数据包括实验过程中获得的交界区域对应的第一栅极以及第一栅极图型、非交界区域对应的第二栅极以及第二栅极图型；

S42、测量晶体管测试样本的所述第一栅极、第二栅极的宽度尺寸、间距；

S43、计算所述第一栅极与所述第二栅极的宽度尺寸差异，基于所述尺寸差异，获取所述辅助图型。

4.根据权利要求3所述的掩模版优化方法，其特征在于，步骤S42中，基于测量的所述第一栅极、第二栅极的宽度尺寸，建立所述第一栅极的宽度矩阵和所述第二栅极的宽度矩阵。

5.根据权利要求4所述的掩模版优化方法，其特征在于，步骤S4中，若所述交界区域的第一栅极线宽小于所述非交界区域的第二栅极线宽，则用所述第二栅极的宽度减去所述第一栅极的宽度，获取所述掩模版的第一辅助图型。

6.根据权利要求5所述的掩模版优化方法，其特征在于，步骤S4中，若所述交界区域的第一栅极线宽大于所述非交界区域的第二栅极线宽，则用所述第一栅极的宽度减去所述第二栅极的宽度，获取所述掩模版的第二辅助图型。

7.根据权利要求6所述的掩模版优化方法，其特征在于，步骤S5中，采用所述OPC修正模型对所