CN113782638B 一种电池背钝化结构及其制作方法、太阳能电池 （正泰新能科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113782638B(45)授权公告日2024.10.22

(21)申请号202111056381.1

(22)申请日2021.09.09

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113782638A

(43)申请公布日2021.12.10

(73)专利权人正泰新能科技股份有限公司

地址314400浙江省嘉兴市海宁市尖山新

区吉盛路1号

(72)发明人李红博何胜徐伟智单伟

H01L31/042(2014.01)

(56)对比文件

CN104425633A,2015.03.18CN111668318A,2020.09.15

审查员姚丹群

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

公司11227专利代理师王晓坤

(51)Int.CI.

HO1L31/18(2006.01)

HO1L31/0216(2014.01)权利要求书1页说明书6页附图1页

(54)发明名称

一种电池背钝化结构及其制作方法、太阳能

电池

(57)摘要

CN113782638B本申请公开了一种电池背钝化结构制作方法，包括向镀膜设备中通入掺杂气体和第一反应气体，在硅片的背面沉积掺杂型钝化层；向镀膜设备中通入第二反应气体，在掺杂型钝化层远离硅片的表面直接或间接沉积内反射层。本申请的电池背钝化结构包括层叠在硅片背面的掺杂型钝化层和内反射层，钝化能力增强；本申请在沉积掺杂型钝化层时将掺杂气体和第一反应气体同时通入镀膜设备进行沉积得到的，避免采用先沉积处钝化层再以扩散或离子注入方式对钝化层进行掺杂，缩短制备时间，且避免扩散或离子注入对钝化层造成损伤；由于沉积的是掺杂型钝化层，钝化性能强，可以减薄掺杂型钝化层的厚

CN113782638B

向镀膜设备中通入掺杂气体和第一反应气体，在硅片的背面沉积掺杂型钝化层

向所述镀膜设备中通入第二反应气体，在所述掺杂型钝化层远离所述硅片的表面直接或者间接沉积内反射层

S101

S102

CN113782638B权利要求书1/1页

2

1.一种电池背钝化结构制作方法，其特征在于，包括：

向镀膜设备中通入掺杂气体和第一反应气体，在硅片的背面沉积掺杂型钝化层；所述第一反应气体包括SiH?、NH?和N?0,所述掺杂型钝化层为掺杂型氮氧化硅层；

在硅片的背面沉积掺杂型钝化层之后，向所述镀膜设备中通入所述第一反应气体，在所述掺杂型钝化层远离所述硅片的表面沉积氮氧化硅层；所述氮氧化硅层折射率大于掺杂型氮氧化硅层折射率；氮氧化硅层厚度在10～20nm;

向所述镀膜设备中通入第二反应气体，在所述氮氧化硅层远离所述掺杂型钝化层的表面沉积内反射层；所述第二反应气体包括SiH?和NH?,所述内反射层为氮化硅层；

在所述氮氧化硅层远离所述掺杂型钝化层的表面沉积内反射层包括：

在所述氮氧化硅层远离所述掺杂型钝化层的表面沉积依次层叠的多层所述内反射层。

2.如权利要求1所述的电池背钝化结构制作方法，其特征在于，所述掺杂气体包括含磷、硼、铝、镓、铟的气体。

3.如权利要求1所述的电池背钝化结构制作方法，其特征在于，在远离所述硅片的方向上，依次层叠的多层所述内反射层的折射率逐渐减小。

4.如权利要求3所述的电池背钝化结构制作方法，其特征在于，所述内反射层的层数为三层。

5.如权利要求4所述的电池背钝化结构制作方法，其特征在于，在远离所述氮氧化硅层的方向上，第一层所述内反射层的折射率在2.35～2.25之间，厚度在10nm～35nm之间；第二层所述内反射层的折射率在2.25～2.1之间，厚度在10nm~20nm之间；第三层所述内反射层的折射率在2.1～1.9之间，厚度在10nm～20nm之间。

6.如权利要求1至5任一项所述的电池背钝化结构制作方法，其特征在于，向镀膜设备

中通入掺杂气体和第一反应气体，在硅片的背面沉积掺杂型钝化层之前，还包括：

对所述硅片进行酸抛光或者碱抛光处理。

7.一种电池背钝化结构，其特征在于，所述电池背钝化结构由如权利要求1至6任一项所述的电池背钝化结构制作方法制得。

8.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括如权利要求7所述的电池背钝化结