CN114361012A 一种半导体器件及其制作方法 （广东省大湾区集成电路与系统应用研究院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN114361012A布日2022.04.15

(21)申请号202111678019.8

(22)申请日2021.12.31

HO1L21/311(2006.01)

(71)申请人广东省大湾区集成电路与系统应用

研究院

地址510535广东省广州市开发区开源大

道136号A栋

申请人澳芯集成电路技术(广东)有限公司

(72)发明人毛永吉叶甜春朱纪军李彬鸿罗军赵杰

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

代理人郄晨芳

(51)Int.CI.

H01L21/027(2006.01)

HO1L21/033(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图8页

(54)发明名称

一种半导体器件及其制作方法

(57)摘要

CN114361012A本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，通过第二光阻层和硬掩膜层共同作为掩膜以对待刻蚀层进行刻蚀，相较于仅仅通过第二光阻层为掩膜来刻蚀待刻蚀层的方式，本发明能够得到线宽尺寸更小的第二沟槽。本发明优化了半导

CN114361012A

提供待刻蚀结构，所述待刻蚀结构包括依次叠加的村底基板。待刻蚀层、硬掩膜

提供待刻蚀结构，所述待刻蚀结构包括依次叠加的村底基板。待刻蚀层、硬掩膜层及第一光阻层

对所迷第一光阻层进行曝光显影处理，在所迷第一光阻层上形成具有第一设定线

宽的多个第一初始楼空围案互第N初始镂空图案，所述第一初始镂空图案至所述第

N初始偻空图案沿第一方向依次排列，N为大于或等于2的整数

以所述第一光阻层为艳膜，对所述硬掩膜层进行刻蚀后去除所述第一光阻层，形成位于所述硬掩膜层上的第一沟槽

形成第二光阻层，所迷第二光阻层覆盖所述硬掩膜层及所迷第一沟槽

宽的第一中间镂空图案至第N中间偻空图案，其中，所述第一中间镂空图案至第N

中间镂空图案沿所述第一方向依次排列，且第冲间楼空图案裸露第；初始楼空困案对应的部分所迷第一沟情，及裸露所迷第；初始楼空图案和第i+1初始楼空图案分别十各自对应所述第一沟槽之间的部分所述硬掩膜层，为大于或等手1且小手N的整数

第二光阻层及所述硬掩膜层，形成位于所迷待刻蚀层上的第二沟槽

CN114361012A权利要求书1/2页

2

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀结构，所述待刻蚀结构包括依次叠加的衬底基板、待刻蚀层、硬掩膜层及第一光阻层；

对所述第一光阻层进行曝光显影处理，在所述第一光阻层上形成具有第一设定线宽的多个第一初始镂空图案至第N初始镂空图案，所述第一初始镂空图案至所述第N初始镂空图案沿第一方向依次排列，N为大于或等于2的整数；

以所述第一光阻层为掩膜，对所述硬掩膜层进行刻蚀后去除所述第一光阻层，形成位于所述硬掩膜层上的第一沟槽；

形成第二光阻层，所述第二光阻层覆盖所述硬掩膜层及所述第一沟槽；

对所述第二光阻层进行曝光显影处理，在所述第二光阻层上形成具有第二设定线宽的第一中间镂空图案至第N中间镂空图案，其中，所述第一中间镂空图案至第N中间镂空图案沿所述第一方向依次排列，且第i中间镂空图案裸露第i初始镂空图案对应的部分所述第一沟槽，及裸露所述第i初始镂空图案和第i+1初始镂空图案分别各自对应所述第一沟槽之间的部分所述硬掩膜层，i为大于或等于1且小于N的整数；

以所述第二光阻层和所述硬掩膜层为掩膜，对所述待刻蚀层进行刻蚀后去除所述第二光阻层及所述硬掩膜层，形成位于所述待刻蚀层上的第二沟槽。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，去除所述第二光阻层及所述硬掩膜层后，还包括：

在所述待刻蚀层背离所述衬底基板一侧依次形成辅助硬掩膜层和第三光阻层，所述辅助硬掩膜层覆盖所述第二沟槽及所述待刻蚀层背离所述衬底基板一侧表面；

对所述第三光阻层进行曝光显影处理，在所述第三光阻层上形成具有第三设定线宽的至少一个最终镂空图案，所述最终镂空图案对应相邻两个所述第二沟槽之间对应区域；

以所述第三光阻层为掩膜，对所述辅助硬掩膜层进行刻蚀后去除所述第三光阻层，形成位于所述辅助硬掩膜层上的第三沟槽；

形成第四光阻层，所述第四光阻层覆盖所述辅助硬掩膜层及所述第三沟槽；

对所述第四光阻层进行曝光显影处理，所述第四光阻层上形成具有第四设定线宽的辅