CN111823749B 光学防伪元件及其制作方法、光学防伪产品 （中钞特种防伪科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN111823749B公告日2022.02.25

(21)申请号201910319695.2

(22)申请日2019.04.19

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111823749A

(43)申请公布日2020.10.27

(73)专利权人中钞特种防伪科技有限公司

地址100070北京市丰台区科学城星火路6

号

专利权人中国印钞造币总公司

(72)发明人张巍巍胡春华朱军

(74)专利代理机构北京润平知识产权代理有限公司11283

代理人肖冰滨王晓晓

(51)Int.CI.

B42D25/328(2014.01)

B42D25/324(2014.01)

B42D25/40(2014.01)

(56)对比文件

CN104647936A,2015.05.27

CN106891637A,2017.06.27CN104647934A,2015.05.27

CN104647938A,2015.05.27

CN108698432A,2018.10.23

CN106574997A,2017.04.19

CN106457872A,2017.02.22

CN101361026A,2009.02.04CN105015216A,2015.11.04JP6418577B2,2018.11.07

JP2015127751A,2015.07.09JP2014104640A,2014.06.09JP5564777B2,2014.08.06

审查员任丛丛

权利要求书2页说明书9页附图3页

(54)发明名称

光学防伪元件及其制作方法、光学防伪产品

(57)摘要

CN111823749B本发明实施例提供一种光学防伪元件及其制作方法、光学防伪产品，属于防伪领域。光学防伪元件包括：基材；位于基材上的表面浮雕结构层，表面浮雕结构层包括彼此不重叠的至少第一区域和第二区域，第一区域包括第一光栅微结构，第二区域包括第二光栅微结构，其中第一光栅微结构由第三光栅微结构和在第三微结构的表面覆盖的填充层构成，第三光栅微结构的深宽比大于第二光栅微结构，填充层的折射率与第三光栅微结构的折射率满足预设条件，其中，第一

CN111823749B

第一反射镀层。其能够同时形成两种或者两种以上的不同的光学防伪特征，并且不同光学防伪特征之间不存在相互干扰。

1

CN111823749B权利要求书1/2页

2

1.一种用于制作光学防伪元件的方法，包括：

步骤S11,提供基材；

步骤S12,在所述基材的一个表面上形成光学微结构，所述光学微结构包括彼此不重叠的至少第一区域和第二区域，其中所述第一区域包括第三光栅微结构，所述第二区域包括第二光栅微结构，所述第三光栅微结构的深宽比大于所述第二光栅微结构；

步骤S13,在所述光学微结构表面沉积第一反射镀层；

步骤S14,去除所述第三光栅微结构上覆盖的所述第一反射镀层，而保留所述第二光栅微结构上覆盖的所述第一反射镀层；

步骤S15,在根据步骤S11至步骤S14形成的结构的表面涂布填充层，其中所述填充层的折射率与所述光学微结构的折射率满足预设条件以使所述填充层能够与所述第三光栅微结构形成第一光栅微结构；以及

步骤S16,在所述填充层上沉积不同于所述第一反射镀层的第二反射镀层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基材、所述第一光栅微结构、所述第二光栅微结构、所述填充层是透明的或半透明的。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述填充层的折射率与所述光学微结构的折射率满足以下预设条件：所述填充层的折射率与所述光学微结构的折射率的差值的绝对值小于0.5。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三光栅微结构的深宽比不小于0.4,所述第一光栅微结构和所述第二光栅微结构的深宽比小于0.4。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一光栅微结构和所述第二光栅微结构的深宽比为0.05至0.2。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一光栅微结构和所述第二光栅微结构的结构特征尺寸的范围是100nm至100μm;和/或

所述第一光栅微结构和所述第二光栅微结构的深度范围是10nm至40μm。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一光栅微结