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二维Hf0.5Zr0.5S2光电特性及FET器件研究.pdf

二维Hf0.5Zr0.5S2光电特性及FET器件研究.pdf

    摘要

    摘要

    二维过渡金属硫族化合物（TMDs)因其优异的光电性和可调电子特性，

    在新型光电器件与高性能场效应晶体管F（ET)领域展现出重要研究价值。本研

    究系统探究了ZrS2、Hfo.5Zro.5S2及其氧化产物在光电探测与场效应晶体管中的应

    用，主要研究成果如下：

    一、通过化学气相输运法成功制备了高质量的ZrS2和Hfo.5Zra5S2

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