国产光刻胶实现关键材料突破.ppt

国产光刻胶实现关键材料突破汇报人：***（职务/职称）日期：2026年**月**日

光刻胶产业概述光刻工艺基础原理国产光刻胶发展历程光刻胶核心技术难点材料组成与配方体系生产工艺关键环节检测与质量控制标准目录

应用场景分类突破产业链协同发展政策支持与资本投入市场竞争格局分析技术攻关典型案例未来发展趋势预测发展建议与对策目录

光刻胶产业概述01

光刻胶定义与核心功能分类体系按光源波长可分为G线/I线（436-365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、EUV（13.5nm）光刻胶，波长越短对应制程节点越先进，分辨率可达7nm以下。图形复制载体在半导体制造中，光刻胶作为临时模