摘要
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栅极介电材料是制作金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的重要
组成部分,随着晶体管的尺寸不断减小,传统的栅极介电材料已经不能满足纳米
尺度下集成器件的性能需求。二维介电材料因为其特别的物理、化学和机械性质,
在制造和开发晶体管器件方面展现出了巨大的潜力。本研究基于过渡金属硫族
化合物的可控氧化,以二维GaSe、GaS薄片为前驱体,通过热氧化法得到了二
维高k介电材料GaO,并对其氧化工艺、
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