CN110945413B 光学调制器以及制作光学调制器的方法 （洛克利光子有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN110945413B(45)授权公告日2024.06.21

(21)申请号201880040605.X

(22)申请日2018.08.21

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN110945413A

(43)申请公布日2020.03.31

(30)优先权数据

62/5487222017.08.22US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2019.12.18

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/IB2018/0010852018.08.21

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2019/038600EN2019.02.28

(73)专利权人洛克利光子有限公司地址英国伦敦

(72)发明人张毅A.J.齐尔基

(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001

专利代理师俞华梁陈岚

(51)Int.CI.

G02F1/025(2006.01)

(56)对比文件

US2015055910A1,2015.02.26WO2016157687A1,2016.10.06

US2011073989A1,2011.03.31US2005207691A1,2005.09.22

审查员赵星

权利要求书2页说明书5页附图8页

(54)发明名称

光学调制器以及制作光学调制器的方法

(57)摘要

CN110945413B一种MOS电容器型光学调制器以及制作MOS电容器型光学调制器的方法，其中所述MOS电容器型光学调制器具有MOS电容器区，所述MOS电容

CN110945413B

CN110945413B权利要求书1/2页

2

1.一种MOS电容器型光学调制器，所述MOS电容器型光学调制器具有MOS电容器区，所述MOS电容器区包括p掺杂区(31)、由结晶稀土氧化物REO形成的绝缘体(11)、以及n掺杂区(42),其中所述绝缘体(11)包括：

在绝缘体上硅SOI基板的硅层(21)内的第一材料(11a,11la)的第一区；

结晶REO层(11b,111b);

其中，所述结晶REO层(11b,111b)在所述硅层(21)的顶部上以及也在所述第一材料(11a,11la)的第一区的顶部上外延地生长；

其中，所述p掺杂区(31)形成在与所述第一材料(11a,11la)相邻的所述SOI基板的顶层

(21)内；

其中，所述n掺杂区(42)生长在所述结晶REO层(11b,111b)的顶部上，并且所述n掺杂区(42)是一类III-V半导体材料；以及

其中，所述硅层(21)内的第一材料(11a,11la)是结晶REO以形成光学波导包层。

2.如权利要求1所述的MOS电容器型光学调制器，其中所述SOI基板的顶部硅层(21)具有(111)晶体取向，或者，所述结晶REO(11b,111b)包括氧化铒或氧化钆。

3.如前述权利要求中任一项所述的MOS电容器型光学调制器，其中，所述p掺杂区(31)在所述结晶REO层(11b,111b)下方以及外延生长的所述n掺杂区(42)在所述结晶REO层(11b,111b)上方以形成所述MOS电容器区，光模在所述MOS电容器区处传播，

其中，所述p掺杂区(31)为p掺杂Si。

4.如前述权利要求1到3中任意一项所述的MOS电容器型光学调制器，其中所述n掺杂区

(42)为n掺杂InP或InGaAsP。

5.如权利要求1所述的MOS电容器型光学调制器，其中所述结晶REO层(11b,111b)具有不大于50nm的厚度。

6.如权利要求1或权利要求5所述的MOS电容器型光学调制器，其中所述结晶REO的第一区(11a,11la)具有不大于300nm的厚度。

7.一种制作MOS电容器型光学调制器的方法，所述方法包括以下步骤：

提供基板；

在所述基板的顶层(21)中产生p掺杂区(31);

在所述基板的所述顶层(21)中在与所述p掺杂区(31)相邻处蚀刻出沟槽；

在所述沟槽中生长第一材料(11a,11la)的第一区；

在所述第一材料(11a,11la)的第一区的顶部上以及在所述p掺杂区(31)的顶部上生长结晶稀土氧化物REO层(11b,111b);以及

在所述结晶REO层(11b,111b)的顶部上生长n掺杂区(42);

其中，所述n掺杂区(42)是一