CN110993692A 隧穿场效应晶体管及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110993692A

(43)申请公布日2020.04.10

(21)申请号201911217921.2

(22)申请日2019.12.03

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维何元浩刘晓雨马佩军

杜鸣张进成郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

H01L29/78(2006.01)

H01L29/423(2006.01)

H01L29/08(2006.01)

H01L29/06(2006.01)

H01L21/336(2006.01)

权利要求书3页说明书10页附图4页

(54)发明名称

隧穿场效应晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN110993692A本发明公开了一种隧穿场效应晶体管，主要解决现有隧穿场效应晶体管存在的随机杂质涨落问题和双极关态漏电的问题，其自下而上设有衬底(1)、体区(2)和栅介质层(3),该体区和栅介质层的两侧刻蚀有下台阶(4),左右两侧下台阶的上方分别淀积有源极(6)和漏极(5),栅介质层上方自左向右依次设有源极调制板(7)、栅极(8)以及间隔分布的栅极耦合调制板(9)和漏极耦合调制板(10),该栅介质层、漏极、源极、源极调制板、栅极、栅极耦合调制板和漏极耦合调制板的外围设有钝化层(11),本发明解决了器件双极关态漏电问题和随机杂质涨落问题，降低了器件功

CN110993692A

栅极耦合调制板9

栅极耦合调制板9漏极耦合调制板10

栅极8

栅介质层3

体区2

衬底1

钝化层11源极调制板7

源极6

CN110993692A权利要求书1/3页

2

1.一种隧穿场效应晶体管，包括：衬底(1)、漏极(5)、源极(6)、栅极(8)、钝化层(11),衬底(1)上方自下而上依次设有体区(2)和栅介质层(3),其特征在于：

所述体区(2)和栅介质层(3)的两侧刻蚀有下台阶(4),漏极(5)位于右侧下台阶(4)的上部；源极(6)位于左侧下台阶(4)的上部；

所述栅介质层(3),其左上方设有源极调制板(7),该源极调制板右侧的栅介质层上自左向右设有间隔分布的栅极耦合调制板(9)和漏极耦合调制板(10),栅极(8)位于源极调制板(7)与栅极耦合调制板(9)之间；

所述钝化层(11),其位于栅介质层(3)、漏极(5)、源极(6)、源极调制板(7)、栅极(8)、栅极耦合调制板(9)和漏极耦合调制板(10)的外围；

所述栅极耦合调制板(9)由m个大小相同的栅感应极板组成，m≥1,其最左侧的栅感应极板与栅极(8)之间的间距S为0.5～20nm,相邻两栅感应极板之间的间距按自左向右的方向依次递增，且相邻两栅感应极板之间的间距均大于S;

所述漏极耦合调制板(10)由n个大小相同的漏感应极板组成，n≥1,其最右侧的漏感应极板与漏极(5)之间的间距R为0～20nm,相邻两漏感应极板之间的间距按自右向左的方向依次递增，且相邻两漏感应极板之间的间距均大于R,最左侧的漏感应极板与最右侧的栅感应极板之间的间距Q大于或等于各相邻漏感应极板之间的间距以及各相邻栅感应极板之间的间距。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述源极调制板(7)的宽度L?为20～100nm,其与栅极(8)之间的间距为L?为0.5～20nm,且采用与源极(6)相同的金属。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，各栅感应极板处于相互独立的浮空状态，即不与任何电极或者金属接触，且各栅感应极板采用金属的功函数均小于或等于栅极(8)采用金属的功函数，相邻两栅感应极板的功函数按照左侧栅感应极板功函数不小于右侧栅感应极板功函数的方式设置；每个栅感应极板的宽度L?均为1～10nm,其厚度T?均为10~60nm,且T?不大于栅极(8)的厚度。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，各漏感应极板处于相互独立的浮空状态，即不与任何电极或者金属接触，且各漏感应极板采用金属的功函数均大于或等于漏极(5)采用金属的功函数，相邻两漏感应极板的功函数按照左侧漏感应极板功函数不小于右侧漏感应极板功函数的方式设置；每个漏感应极板的宽度L?均为1～10nm,且厚