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硅基铜薄膜：制备工艺、激光冲击改性及性能优化研究

一、绪论

1.1研究背景

在当今科技飞速发展的时代，集成电路作为现代电子设备的核心组成部分，其性能的优劣直接影响着电子设备的功能和应用范围。随着电子产品不断向小型化、高性能化方向发展，对集成电路的性能提出了越来越高的要求。其中，硅基铜薄膜作为集成电路中的关键材料，扮演着至关重要的角色。

从集成电路技术的发展趋势来看，其集成度不断提高，特征尺寸持续减小。在这一过程中，对引线框架材料的要求也日益严苛。引线框架作为集成电路的重要组成部分，不仅要为芯片提供机械支撑和电气连接，还要具备良好的散热性能。随着集成电路集成度的提高，芯片产生的热量不断增加，这