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高电压梯度ZnO压敏电阻器：性能、制备与应用的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电力系统中，随着电压等级的不断提高以及电力设备对稳定性和可靠性要求的日益严苛，过电压保护成为了保障电力系统安全运行的关键环节。高电压梯度ZnO压敏电阻器作为金属氧化物避雷器（MOA）的核心元件，其性能优劣直接关乎电力系统的稳定运行。

传统ZnO压敏电阻阀片由于压敏电压梯度较低，若用于特高压避雷器，会使得避雷器高度、体积和质量大幅增加，这不仅不利于生产和运输，还会提高成本并增加安装难度。而高电压梯度ZnO压敏电阻器具有在较小的厚度下实现较高的压敏电压的优势，能够有效缩短避雷器的长度，改善电位分布。例如，若特高压罐式避雷器采用高梯度ZnO压敏电阻阀片，可以较大地减小其体积和质量，使其小型化，同时可以有效减小其均压结构，在安全的绝缘配合条件下降低绝缘需求水平，从而降低电力设备的绝缘成本，大幅度降低设备造价。

此外，在电子设备领域，随着电子产品的小型化、集成化发展趋势，对压敏电阻器的性能也提出了更高要求。高电压梯度ZnO压敏电阻器能够在有限的空间内提供更可靠的过电压保护，满足电子设备对小型化、高性能保护元件的需求，对于推动电子设备向更轻薄、功能更强大的方向发展具有重要意义。因此，深入研究高电压梯度ZnO压敏电阻器，对于提升电力系统的过电压保护能力，促进电力设备和电子设备的技术进步，降低设备成本，提高整个电力和电子产业的竞争力都具有重要的现实意义和应用价值。

1.2国内外研究现状

国外在高电压梯度ZnO压敏电阻器研究方面起步较早，技术较为成熟。日本的TMTD（2002年由三菱、东芝合组）、日立以及俄罗斯电瓷工联、美国的GE、OB，瑞典ABB、英国EMP等公司具备生产特高压氧化锌避雷器和高压敏电压梯度阀片的能力。其中日本厂商的产品在保护性能方面较为领先，日本特高压系统中采用三菱公司研制的特高压ZnO避雷器，先后发展了A、B、C三种特性的ZnO阀片，B、C两种阀片具有更优异的保护性能，更适合特高压系统绝缘配合要求。近年来，日本日立和东芝等公司开发的新一代高电压梯度的ZnO阀片，普通阀片晶粒尺寸在10μm左右，压敏电压梯度为200V/mm，而新型高电压梯度ZnO阀片晶粒尺寸仅为5μm，压敏电压梯度达到400V/mm，提高了约2倍，新型阀片的冲击能量吸收密度达300J/cm3，与传统阀片相比约提高到1.7倍，新型阀片的非线性伏安特性和老化性能也相当优良，相同外径阀片的残压比降低了10%以上，并且已将新型ZnO阀片应用于22-765kV的瓷套型和GIS罐式避雷器。

我国从20世纪70年代开始自行研制ZnO避雷器及阀片，80年代引进国外生产技术，主要是日本的配方和技术。经过消化吸收，制造技术有较大提升。我国首条特高压交流1000kV输电工程采用的罐式和瓷套型避雷器，其工频参考电压在834-844kV之间，直流参考电压为1137-1144kV，泄漏电流为20-70μA，所用阀片研发工作主要基于国外压敏电阻片。除生产厂商外，国内部分科研院校也开展过高电压梯度ZnO压敏电阻研究，但多为实验室小尺寸试品研究，且存在过于关注压敏电压梯度提高，而未全面考虑综合性能参数是否达到避雷器实际应用必需技术指标的问题。目前国内压敏电阻厂家生产的压敏电阻电位梯度在200V/mm左右，与国外先进水平存在差距。

1.3研究内容与方法

本文主要研究内容包括高电压梯度ZnO压敏电阻器的工作原理，从微观结构和电子迁移等角度深入剖析其在不同电压条件下的工作机制；对其性能进行多方面研究，涵盖压敏电压梯度、残压比、通流容量和耐老化特性等关键性能指标，分析各性能之间的相互关系和影响因素；探究制备工艺对高电压梯度ZnO压敏电阻器性能的影响，包括原材料的选择与预处理、烧结工艺、掺杂工艺等，寻找优化制备工艺以提高产品性能的方法；探讨其在电力系统和电子设备等领域的具体应用情况，分析实际应用中存在的问题及解决方案；结合当前技术发展趋势和应用需求，对高电压梯度ZnO压敏电阻器未来的发展方向进行展望。

在研究方法上，采用文献研究法，广泛查阅国内外相关文献资料，全面了解高电压梯度ZnO压敏电阻器的研究现状、发展历程和前沿技术，为本文研究提供理论基础和研究思路；运用实验分析法，设计并开展相关实验，对ZnO压敏电阻器的制备工艺、性能测试等进行实际操作和数据采集，通过对实验数据的分析总结，验证理论假设，探索性能优化方法；通过案例研究法，分析高电压梯度ZnO压敏电阻器在实际电力系统和电子设备中的应用案例，深入了解其在不同应用场景下的工作情况