CN110610938A 基于溶液法的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110610938A

(43)申请公布日2019.12.24

(21)申请号201910860000.1

(22)申请日2019.09.11

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人张春福张家祺张进成郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

H01LH01L

H01L

27/088(2006.01)

27/085(2006.01)21/02(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图2页

(54)发明名称

基于溶液法的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管及制作方法

(57)摘要

CN110610938A本发明公开了基于溶液法的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管，该器件由氮化镓高电子迁移率晶体管和氧化锌晶体管组合而成，其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3),AlGaN势垒层的中间刻有隔离槽(4),以对所组合的两种晶体管进行电气隔离；隔离槽一侧的AlGaN势垒层上设有GaN高电子迁移率晶体管的源、漏、栅电极；隔离槽另一侧的AlGaN势垒层一侧上设有Al2O?绝缘层、Zn0薄膜以及氧化锌晶体管的源、漏、栅极，形成硅与氮化镓异质集成的单片芯片。本发明降低了制造成本，减小了芯片所占面积，提高了集成度，可用于汽车、航空航天、发电站中大规模集成电路的制

CN110610938A

11

14

14

15

13

D

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Al?O3

AIGaNAIGaN

4

GaNGaN

1衬底

S10

G

D

12

CN110610938A权利要求书1/2页

2

1.一种基于溶液法的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管，由氮化镓高电子迁移率晶体管和氧化锌晶体管组合而成，其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)和AlGaN势垒层(3),其特征在于：

AlGaN势垒层(3)的中间刻有隔离槽(4),用于对GaN高电子迁移率晶体管和氧化锌晶体管进行电气隔离；

隔离槽一侧的A1GaN势垒层(3)上设有GaN高电子迁移率晶体管的源电极(7)、栅电极(8)和漏电极(9);隔离槽另一侧的设有Al?O?隔离层(5),Al?O?隔离层(5)上设有Zn0薄膜(6),Zn0薄膜(6)上的两侧设有氧化锌晶体管的源电极(10)和漏电极(13),源、漏电极之间设有栅介质层(11),栅介质层(11)上设有栅电极(12);

氧化锌晶体管的漏电极(13)与GaN高电子迁移率晶体管的源电极(7)之间通过第一金属互联条(14)进行电气连接；

氧化锌晶体管的源电极(10)与GaN高电子迁移率晶体管的栅电极(8)之间，通过第二金属互联条(15)进行电气连接。

2.根据权利要1所述的晶体管，其特征在于：AlGaN势垒层(3)的中间的隔离槽深至GaN缓冲层(2),以切断二维电子气，防止器件之间的漏电。

3.根据权利要求书1所述的晶体管，其特征在于：

衬底(1)的厚度为400-500μm,材料为蓝宝石或SiC或硅。

4.根据权利要求书1所述的晶体管，其特征在于：

GaN缓冲层(2)的厚度为1-2μm;

AlGaN势垒层(3)的厚度为20-30nm;

ZnO薄膜(6)的厚度为10-30nm;

Al?O?隔离层(5)的厚度为10nm。

5.根据权利要求书1所述的晶体管，其特征在于：

GaN高电子迁移率晶体管的源电极(7)和漏电极(9)的厚度均为262nm;

GaN高电子迁移率晶体管的栅电极(8)的厚度为195nm;

氧化锌晶体管的源电极(10)和漏电极(13)的厚度均为100nm;

氧化锌晶体管的栅介质层(11)的厚度为10nm;

氧化锌晶体管的栅电极(12)的厚度为100-150nm;

第一金属互联条(14)与第二金属互联条(15)的厚度均为200-300nm。

6.一种基于溶液法的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)采用晶圆清洗工艺，将AlGaN/G