CN110629241A 一种硅材料制作方法 （上海大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN110629241A布日2019.12.31

(21)申请号201910871221.9

(22)申请日2019.09.16

(71)申请人上海大学

地址200444上海市宝山区上大路99号

(72)发明人邹星礼庞忠亚唐蔚施天宇汪淑娟鲁雄刚许茜

(74)专利代理机构上海旭诚知识产权代理有限公司31220

代理人郑立

(51)Int.CI.

C25B1/00(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图11页

(54)发明名称

一种硅材料制作方法

(57)摘要

CN110629241A本发明公开了一种直接由二氧化硅或硅酸钙连续制备高纯硅的方法。以二氧化硅为原料，通过添加氧化钙辅助熔解形成硅酸根离子，或直接利用硅酸钙为原料，在氯化钙熔盐中直接电沉积制备高纯硅。本发明采用高纯石英坩埚为反应容器、高纯石墨棒/石墨片或金属、合金为电极、高纯氩气为保护气氛，通过对氯化钙熔盐进行间歇性预电解技术净化，并通过周期性加入高纯二氧化硅或硅酸钙原料，从而实现直接电沉积连续制备高纯硅(99.99%)材料。在恒电流或脉冲电流条件下，在850℃可实现高纯晶体硅膜(99.999%)、硅纳米线、晶硅粉的可控制备并实现原位电掺杂形成p型/n型硅。本发明可实现从廉

CN110629241A

XCa2

XCa2

溶解

复合/离子化CaO(Ca2,02)

离子化溶解

SiO,

电沉积

氧化形成CO,

阳极产物硅纳米线硅薄膜硅颗粒

硅基太阳能电池

Ca,Sio,

CN110629241A权利要求书1/1页

2

1.一种硅材料制作方法，其特征在于包括以下步骤：

S1,将CaCl?-(2～5%)Si0?-(2～5%)Ca0或CaCl?-(1～5%)CaSiO?原料加入石英坩埚中；在400～600℃真空烘干预处理24～48h,随后在高纯氩气850℃下保温24～48h;

S2,采用两个电极分别作为阴极和阳极，在1.5～2.5V电压下进行间歇性预电解12~72h,从而获得熔盐电解池系统；

S3,将所述电极缓慢插入所述熔盐电解池系统中；保护气氛为高纯氩气，然后采用恒电流、恒电压连续性电沉积制备高纯硅材料；定期加入1～5%的SiO?或CaSiO?构成电沉积体系；

S4,将所述电沉积所得阴极产物用去离子水清洗以去除残留熔盐，然后烘干后即得高纯硅材料。

2.根据权利要求1所述的电沉积制备高纯硅的方法，其特征在于，所述方法采用廉价氧化钙、二氧化硅、三氧化二硼、三氧化二锑、硅酸钙为原料。

3.根据权利要求1或2所述的电沉积制备高纯硅的方法，其特征在于，所述步骤S2还包括通过对所述熔盐电解池系统进行预电解净化，净化技术条件为两根规格相同的高纯碳棒作为阴极和阳极，在850℃和1.5～2.5V电压下进行预电解4～12h,然后取出电极并让熔盐体系保温静置8～12h后，采用新石墨电极重复此预电解步骤1～8次。

4.根据权利要求1或2所述的电沉积制备高纯硅的方法，其特征在于，可通过在熔盐中定期加入适量B?O?作为掺杂元素，实现电沉积过程直接原位电掺杂制备p型硅膜。

5.根据权利要求1或2所述的电沉积制备高纯硅的方法，其特征在于，可通过在熔盐中定期加入适量Sb?O?作为掺杂元素，实现电沉积过程直接原位电掺杂制备n型硅膜。

6.根据权利要求1或2所述的电沉积制备高纯硅的方法，其特征在于，所述的周期性加入SiO?或CaSiO?,可在电解池硅原料消耗后定期加入氯化钙中，时间为48～72h。

7.根据权利要求6所述的电沉积制备高纯硅的方法，其特征在于，所述的定期加入SiO?或CaSiO?后，需静置24～48h。

8.根据权利要求1或2所述的电沉积制备高纯硅的方法，其特征在于，所述用于电沉积的基体为高纯碳棒或碳片或金属及合金，保护装置为高纯石英管。

9.根据权利要求1或2所述的电沉积制备高纯硅的方法，其特征在于，所述的电沉积条件为：恒电流10～20mA/cm2或脉冲电流条件下进行电沉积；所述脉冲电流条件为20-120s沉积电流为10-20mA/cm2;然后10-30s电流为0mA/cm2。

10.根据权利要求1或2所述的电沉积制备高