CN110660656A P型阱的离子注入方法、p型阱结构及cmos器件制作方法 （上海华力集成电路制造有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110660656A

(43)申请公布日2020.01.07

(21)申请号201910937992.3

(22)申请日2019.09.30

(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司

地址201203上海市浦东新区康桥东路298

号1幢1060室

(72)发明人张鹏

(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211

代理人张彦敏

(51)Int.CI.

H01L21/265(2006.01)

H01L29/06(2006.01)

H01L21/8238(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

P型阱的离子注入方法、P型阱结构及CMOS器件制作方法

(57)摘要

CN110660656A本发明涉及P型阱的离子注入方法、P型阱结构及CMOS器件制作方法，涉及半导体集成电路制造工艺，在P型阱结构的离子注入过程中，通过在阱的抑制穿通离子注入工艺与阈值电压调整离子注入工艺之间加入碳离子注入工艺，以在抑制穿通离子注入层与阈值电压调整离子注入层之间形成一层碳离子注入层的非晶化层，该非晶化层能抑制抑制穿通离子注入层的离子往阈值电压调整离子注入层扩散，保持PN结较浅掺杂一侧

CN110660656A

CN110660656A权利要求书1/2页

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1.一种P型阱的离子注入方法，其特征在于，包括：

S1:对半导体衬底上的P型阱区域进行阱隔离离子注入工艺，以在P型阱区域形成阱隔离离子注入层；

S2:进行阱的抑制穿通离子注入工艺，以形成抑制穿通离子注入层；

S3:进行碳离子注入工艺，以形成碳离子注入层；以及

S4:进行阈值电压调整离子注入工艺，以形成阈值电压调整离子注入层。

2.根据权利要求1所述的P型阱的离子注入方法，其特征在于，所述碳离子注入工艺的能量范围在10k至150k之间。

3.根据权利要求1所述的P型阱的离子注入方法，其特征在于，所述碳离子注入工艺的剂量的范围在1e13cm?2至9e15cm-2之间。

4.根据权利要求1所述的P型阱的离子注入方法，其特征在于，所述碳离子注入工艺的偏转角度范围在0度至45度之间。

5.根据权利要求1所述的P型阱的离子注入方法，其特征在于，所述碳离子注入工艺的能量范围在10k至150k之间，剂量的范围在1e13cm-2至9e15cm-2之间，偏转角度范围在0至45度之间。

6.一种P型阱结构，其特征在于，包括：形成于半导体衬底上的阱隔离离子注入层、形成于阱隔离离子注入层上的抑制穿通离子注入层、形成于抑制穿通离子注入层上的碳离子注入层和形成于碳离子注入层上的阈值电压调整离子注入层。

7.根据权利要求6所述的P型阱结构，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。

8.根据权利要求6所述的P型阱结构，其特征在于，所述碳离子注入层通过能量范围在10k至150k之间、剂量的范围在1e13cm-2至9e15cm-2之间及偏转角度范围在0至45度之间的碳离子注入工艺形成。

9.一种CMOS器件制作方法，其特征在于，包括：

S10:提供一半导体衬底，进行浅沟槽隔离工艺，在半导体衬底上形成多个有源区；

S11:进行阱的离子注入形成P型阱结构，包括：

S111:对半导体衬底上的P型阱区域进行阱隔离离子注入工艺，以在P型阱区域形成阱隔离离子注入层；

S112:进行阱的抑制穿通离子注入工艺，以形成抑制穿通离子注入层；

S113:进行碳离子注入工艺，以形成碳离子注入层；以及

S114:进行阈值电压调整离子注入工艺，以形成阈值电压调整离子注入层；

S12:进行阱的离子注入形成N型阱结构；

S13:制作栅极氧化层以及栅极材料的淀积，并进行栅极材料的光刻形成栅极；

S14:在P型阱结构区进行NMOS轻掺杂注入形成NMOS器件漏轻掺杂结构；

S15:在N型阱结构区进行PMOS轻掺杂注入形成PMOS器件漏轻掺杂结构；

S16:制作栅极第一侧墙；

S17:制作栅极第二侧墙；

S18:进行源漏注入形成源漏极；以及

S19:进行后段互连工艺制作。

10.根据权利要求9所述的CMOS器件制作方法，其特征在于，所述栅极材料为多晶硅。

CN110660656A权利要求书