CN110661172A 一种表面发射的dfb半导体激光器阵列及制作方法 （南京邮电大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110661172A

(43)申请公布日2020.01.07

(21)申请号201910938647.1

(22)申请日2019.09.29

(71)申请人南京邮电大学

地址210023江苏省南京市栖霞区文苑路9

号

(72)发明人李连艳吴义涛张梓铭张云山陆骏陈向飞

(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243

代理人张玉红

(51)Int.CI.

H01S5/40(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图3页

(54)发明名称

一种表面发射的DFB半导体激光器阵列及制

作方法

DFB1DFB2DFB3DFB4

DFB1

DFB2

DFB3

DFB4

CN110661172A本发明提供了一种表面发射的DFB半导体激光器阵列及制作方法，将边发射DFB半导体激光器或激光器阵列的出光方向通过一定的结构转换为表面发射的，能够充分利用PWB技术在芯片横向平面上的高分辨率，便于三维聚合物波导的设计和制作，提高激光器阵列与SOI波导阵列集成的耦合效率和综合性能，有利于大规模硅基光子集成芯片的生产和应用；表面发射可以在不解理的情况下对激光器阵列芯片进行测试和挑选，

CN110661172A

CN110661172A权利要求书1/1页

2

1.一种表面发射的DFB半导体激光器阵列，其特征在于：包括DFB激光器阵列(1)和出光窗口阵列(2),所述出光窗口阵列(2)设置在DFB激光器阵列(1)旁，且DFB激光器阵列(1)和出光窗口阵列(2)位于相同的外延片上，所述外延片包括N电极(3)、衬底(4)、下限制层(5)、多量子阱层(6)、上限制层(7)、光栅层(8)、腐蚀阻止层(9)、脊波导层(10)、欧姆接触层(11)和P电极(12),所述衬底(4)设置在N电极(3)上端，所述下限制层(5)设置在衬底(4)上端，所述多量子阱层(6)设置在下限制层(5)上端，所述上限制层(7)设置在多量子阱层(6)上端，所述光栅层(8)设置在上限制层(7)上端，所述腐蚀阻止层(9)设置在光栅层(8)上端，所述脊波导层(10)设置在腐蚀阻止层(9)上端，所述欧姆接触层(11)设置在脊波导层(10)上，所述P电极(12)设置在欧姆接触层(11)上端，所述DFB激光器阵列(1)和出光窗口阵列(2)的数量至少为一个，且一个DFB激光器阵列(1)对应一个出光窗口阵列(2)。

2.如权利要求1所述的一种表面发射的DFB半导体激光器阵列，其特征在于：所述出光窗口阵列(2)处不设置欧姆接触层(11)和P电极(12),所述光栅层(8)上设置有掩埋光栅(13),所述出光窗口阵列(2)处的光栅层(8)上不设置掩埋光栅(13)。

3.如权利要求1所述的一种表面发射的DFB半导体激光器阵列，其特征在于：所述出光窗口阵列(2)处的脊波导层(10)上设置有脊光栅(14),所述脊光栅(14)的数量至少为一个，且使激光从芯片表面射出。

4.如权利要求3所述的一种表面发射的DFB半导体激光器阵列，其特征在于：所述脊光栅(14)具有切趾结构，从芯片表面发射的激光模式为高斯型。

5.如权利要求1所述的一种表面发射的DFB半导体激光器阵列，其特征在于：所述出光窗口阵列(2)处的下限制层(5)、多量子阱层(6)、上限制层(7)、光栅层(8)、腐蚀阻止层(9)和脊波导层(10)被刻蚀成倾斜状，成为端面倾斜角(15),所述刻蚀端面上设置有高反射膜

(16),将DFB激光器输出的光反射到芯片表面。

6.如权利要求1所述的一种表面发射的DFB半导体激光器阵列，其特征在于：所述DFB激光器阵列(1)采用具有真实相移或等效相移的一阶光栅结构。

7.一种如权利要求1-4或6任意一项所述的表面发射的DFB半导体激光器阵列的制作方法，其特征在于：所述制作方法步骤如下：

步骤一：设计并生长一次外延片；

步骤二：制备DFB激光器阵列的掩埋光栅；

步骤三：完成二次外延及刻蚀脊波导；

步骤四：制作出光窗口的脊光栅；

步骤五：完成DFB激光器的后续工艺。

8.一种如权利要求5所述的表面发射的DFB半导体激光器阵列的制作方法，其特征在于：所述制作方法步骤如下：

步骤一：设计并生长一次外延片；

步骤二：制备DFB激光器阵列的掩埋光栅；

步骤三：完成二次外延及刻蚀脊波导