CN110634861A 基于智能剥离技术的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN110634861A布日2019.12.31

(21)申请号201910860757.0

(22)申请日2019.09.11

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人张春福张家祺张进成郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

H01L27/06(2006.01)

H01L21/8232(2006.01)

权利要求书3页说明书9页附图2页

(54)发明名称

基于智能剥离技术的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管及制作方法

(57)摘要

CN110634861A本发明公开了基于智能剥离技术的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管，由GaN高电子迁移率晶体管和Si金属氧化物半导体场效应晶体管组合而成，其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3),AlGaN势垒层的中间刻有隔离槽(4),以对所组合的两种晶体管进行电气隔离；隔离槽一侧的AlGaN势垒层上设有GaN高电子迁移率晶体管的源、漏、栅电极；隔离槽另一侧的AlGaN势垒层一侧上设有Si有源层(5);该Si有源层键合到隔离槽一侧的AlGaN势垒层上，形成硅与氮化镓异质集成的单片芯片。本发明降低了制造成本，增强了器件的可靠性，可

CN110634861A

10

13

13

14

G

D12

8

SG

AIGaN

4

GaN

1

AIGaN

GaN

Al2O3

Si

SiO2

衬底

11

2

9

3

CN110634861A权利要求书1/3页

2

1.基于智能剥离技术的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管，由GaN高电子迁移率晶体管和Si金属氧化物半导体场效应晶体管组合而成，自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3),其特征在于：

AlGaN势垒层(3)的中间刻有隔离槽(4),用于对GaN高电子迁移率晶体管和Si金属氧化物半导体场效应晶体管进行电气隔离；

隔离槽(4)一侧的AlGaN势垒层(3)上设有GaN高电子迁移率晶体管的源电极(6)、栅电极(7)和漏电极(8);隔离槽(4)另一侧的AlGaN势垒层(3)一侧上部设有Si有源层(5);

Si有源层(5)上的两边设有Si金属氧化物半导体场效应晶体管的源电极(9)和漏电极(12),该源、漏电极之间设有栅介质层(10),栅介质层(10)上设有栅电极(11);

Si金属氧化物半导体场效应晶体管的漏电极(12)与GaN高电子迁移率晶体管的源电极(6)之间通过第一金属互联条(13)进行电气连接；

Si金属氧化物半导体场效应晶体管的源电极(9)与GaN高电子迁移率晶体管的栅电极(7)之间，通过第二金属互联条(14)进行电气连接。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：隔离槽(4)深至GaN缓冲层(2),以切断二维电子气，防止器件之间的漏电。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：衬底(1)采用蓝宝石或碳化硅或硅。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：

衬底(1)的厚度为400-500μm,

GaN缓冲层(2)的厚度为1-2μm;

AlGaN势垒层(3)的厚度为20-30nm;

Si有源层(5)的厚度为100-200nm。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：

GaN高电子迁移率晶体管的源电极(6)和漏电极(8)的厚度均为262nm;

GaN高电子迁移率晶体管的栅电极(7)的厚度为195nm;

Si金属氧化物半导体场效应晶体管的源电极(9)和漏电极(12)的厚度均为30-100nm;Si金属氧化物半导体场效应晶体管的栅介质层(10)的厚度为10-20nm;

Si金属氧化物半导体场效应晶体管的栅电极(11)的厚度为100-150nm。

第一金属互联条(13)与第二金属互联条(14)的厚度均为200-300nm。

6.一种基于智能剥离技术的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)采用晶圆清洗工艺，将AlGaN/GaN/Substrate基片分别依次用丙酮、乙醇、去离子水超声5min,再在食人鱼