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《高纯镓》国家标准（GB/T10118）修订发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportontheRevisionofNationalStandardforHighPurityGallium(GB/T10118)

摘要

本报告旨在系统阐述《高纯镓》国家标准（GB/T10118）修订工作的背景、目的、核心内容及其对行业发展的深远意义。随着以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体技术的迅猛发展，以及砷化镓（GaAs）等化合物半导体在5G通信、射频器件、光电子等领域的广泛应用，作为关键基础材料的高纯镓，其质量要求发生了根本性变化。现行标准GB/T10118-2009已实施超过十年，在杂质元素控制范围、分析方法、产品分类等方面均难以满足当前高端半导体产业对材料一致性与可靠性的严苛需求。本次修订工作紧密围绕产业实际，重点扩展了需控制的杂质元素种类（如Al、S、K、In等），更新并规范了化学分析方法体系，优化了产品分类与牌号表示，并完善了检验规则。修订后的标准将更科学、更精准地指导高纯镓的生产、检验与贸易，为提升我国高纯镓产品质量、保障半导体产业链供应链安全稳定、支撑战略性新兴产业发展提供坚实的技术标准支撑。

关键词：高纯镓；国家标准修订；半导体材料；杂质控制；化学分析；战略性新兴产业

Keywords:HighPurityGallium;NationalStandardRevision;SemiconductorMaterials;ImpurityControl;ChemicalAnalysis;StrategicEmergingIndustries

正文

一、修订背景与目的意义

高纯镓是一种极其重要的战略性高端金属材料，常温下为银白色软金属，熔点仅为29.76°C。它主要从铝土矿或锌矿冶炼的副产物中提取，并经过电解精炼、区域熔融等复杂工艺进一步纯化至99.999%（5N）及以上纯度。高纯镓的核心应用在于半导体领域：一是作为砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、氮化镓（GaN）等化合物半导体的基础组分；二是作为硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体的掺杂剂；三是用于制备特定性能的合金材料。其纯度及特定杂质含量直接决定了最终半导体器件的电学性能（如载流子迁移率、浓度）、光学性能及长期可靠性。

我国现行的高纯镓产品国家标准为GB/T10118-2009，该标准已实施十余年。在此期间，全球半导体技术，特别是第三代半导体技术，经历了革命性突破与规模化应用。根据《战略性新兴产业分类（2018）》（国家统计局令第23号），高纯镓（纯度≥99.999%）被明确列为“3.2.9.1高纯金属制造”下的关键产品。产业升级对材料提出了更高要求：原标准中，即使是最高等级7N（99.99999%）产品，也仅规定了12种杂质元素，而下游客户在实际应用中，对严重影响半导体器件性能的铝（Al）、硫（S）、钾（K）、铟（In）、钙（Ca）、汞（Hg）、砷（As）、银（Ag）等痕量杂质均提出了明确的控制需求。此外，原标准引用的分析方法标准YS/T474存在局限性，未能涵盖硅（Si）元素的测定方法，导致标准技术要求与检测能力不匹配。

因此，对GB/T10118-2009进行系统性修订已迫在眉睫。本次修订旨在：

1.对接产业需求：使标准技术要求与当前半导体产业，尤其是高端化合物半导体制造对基础材料的真实需求相匹配。

2.完善技术体系：建立更科学、更全面的杂质元素控制清单与限值体系，并同步更新和规范化学分析方法，解决“有要求、无方法”的矛盾。

3.提升标准引领作用：通过标准升级，倒逼生产工艺优化，整体提升国产高纯镓产品的质量一致性与国际竞争力。

4.规范市场秩序：为供需双方提供清晰、权威的产品质量判定与贸易仲裁依据，促进市场健康有序发展。

最终，修订后的标准将为我国半导体材料自主可控和产业高质量发展提供关键的基础标准保障。

二、修订范围与主要技术内容

本标准适用于以纯度不小于99.99%（4N）的工业镓为原料，经电解精炼、区域熔融、单晶拉制等工艺制得的纯度不小于99.9999%（6N）的高纯镓。产品主要用于制备化合物半导体、高纯合金以及作为半导体材料的掺杂剂。

本次修订是对GB/T10118-2009的全面升级，主要技术内容变更如下：

1.扩展产品用途描述：将原标准中“产品供制备化合物半导体材料和高纯合金”修改为“产品主要用于制备化合物半导体、高纯合金以及半导体材料的掺杂”。这一修改准确反映了高纯镓作为掺杂剂这一重要且关键的用途，并使后续技术指标的设定更具针对性。

2.更新规范性引用文件：将原引用的YS/T474《ICP-MS分析法测定