二硫化钼晶体管开启后硅时代(课件).ppt

二硫化钼晶体管开启后硅时代汇报人：***（职务/职称）日期：2026年**月**日

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二维材料革命背景01

硅基半导体发展瓶颈物理极限制约硅基晶体管的尺寸已逼近1-3纳米节点，量子隧穿效应导致漏电流激增，静态功耗难以控制，器件性能提升遭遇根本性物理限制。散热挑战加剧随着集成度提高，单位面积功耗密度呈指数增长，传统散热方案无法有效解决局部热点问题，影响芯片可靠性和寿命。制造成本飙升极紫外光刻（