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拓扑晶体绝缘体Pb1-xSnxTe薄膜：分子束外延生长机制与电子性质解析

一、引言

1.1研究背景与意义

拓扑晶体绝缘体作为一类新型的拓扑材料，其拓扑表面态受到晶体对称性的保护，这与拓扑绝缘体中受时间反演对称性保护的表面态截然不同。这种独特的保护机制使得拓扑晶体绝缘体在自旋电子学、量子计算等领域展现出巨大的应用潜力，也因此成为凝聚态物理和材料科学领域的研究热点之一。

在众多拓扑晶体绝缘体材料中，Pb1-xSnxTe薄膜因其具有独特的电子结构和物理性质而备受关注。Pb1-xSnxTe是由PbTe和SnTe组成的固溶体，SnTe是首个被理论预言和实验证实的拓扑晶体绝缘体，而Pb