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3D堆叠提升AI芯片算力密度汇报人：***（职务/职称）日期：2026年**月**日

三维芯片堆叠技术概述垂直互连与高集成度实现先进封装材料与工艺突破算力密度提升关键技术AI芯片架构设计创新散热解决方案能效比优化方法目录

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三维芯片堆叠技术概述01

技术定义与发展历程3D堆叠技术通过硅通孔(TSV)和混合键合工艺，将多个功能层在垂直方向集成，实现逻辑单元与存储器的三维互联，突破传统平面布局的物理限制。其技术雏形可追溯至上世纪90年代的BGA封装，现代形态则由Be