半导体存储器概述及其分类与结构.pptx

1第七章半导体存储器7.1概述半导体存储器是能够存储二进制数据的半导体器件从存取功能上区分只读存储器（ROM）随机存储器（RAM）

2只读存储器电路结构简单，断电后数据不会丢失。掩摸ROM可编程ROM（PROM）Programmable可擦除的可编程ROM（EPROM）ErasableProgrammable

3静态存储器SRAM（StaticRandomAccessMemory）动态存储器DRAM（DynamicRandomAccessMemory）正常工作状态下，可以随时向存储器写入数据或从中读取数据随机存储器存储单元工作原理

47.2只读存储器ROM7.2.1掩摸只读存储器ROM电路结构存储矩阵地址译码输出缓冲

5ROM电路结构图

6二极管与门二极管或门

7地址译码器存储矩阵输出缓冲器

8地址译码器：二极管与门（4个二极管与门）任意时刻译码器输出W0、W1、W2、W3只有一根线为高电平存储矩阵：二极管或门（4个二极管或门）输入为W0、W1、W2、W3W0、W1、W2、W3：称为字线D0、D1、D2、D3：称为位线4个字每个字4位

9ROM数据表存储单元字线和位线交叉点；交叉点处，接二极管表示存“1”，没接二极管表示存“0”。存储器容量：（字线数）×（位线数）

10ROM数据表

11晶体三极管构成存储矩阵

12存储器内容在出厂时已“固化”在存储器中字线选中，高电平MOS管导通，位线低电平

13当W高电平（地址选中），输出D=0；W低电平（地址未选中），输出D=1。增强型NMOS反相器

147.2.2可编程只读存储器PROM地址译码器存储矩阵输入、输出缓冲熔断丝位线字线熔丝型PROM存储单元读/写放大器PROM的内容一经写入，不能修改编程脉冲由位线加入

157.2.3可擦除的可编程只读存储器（EPROM）EPROM：指通过紫外线照射进行擦除E2PROM：指通过电信号进行擦除通过电信号进行擦除的PROM还有快闪存储器（FlashMemory）

16一、EPROM浮栅雪崩注入MOS管（FAMOS）浮置栅FAMOS管结构FAMOS管符号P沟道增强型MOS管

17P沟道增强型MOS采用负电压供电负逻辑VOL=-VDD；用1表示VOH=0；用0表示

18FAMOS—P沟道增强型漏、源之间负电压供电浮置栅FAMOS管结构漏、源之间足够高的负电压（-45V）使得漏极D与衬底之间雪崩击穿，形成强电场。部分电子穿过SiO2到达浮置栅，形成栅极存储电荷，此过程称为“雪崩注入”当栅极获得足够电荷之后，PMOS管打开，D-S之间形成导电沟道

19紫外线擦除的过程实际上是栅极的放电过程，栅极电荷消失，导电沟道随之消失，FAMOS截止。字线位线FAMOS使用FAMOS存储单元写入过程：选择地址，使对应字线为低电平（负电位）；在需要写入1的位线上加入负脉冲，相应单元FAMOS雪崩击穿，记1P沟道增强型MOS管构成反相器

20叠栅注入MOS管（SIMOS）浮置栅SIMOS管结构控制栅SIMOS管符号N沟道增强型浮置栅控制栅

21控制栅：控制读出/写入浮置栅：长期保存注入电荷浮置栅未注入电荷，在控制栅加入正常高电平，使得SIMOS管导通；浮置栅注入负电荷，必须在控制栅加上更高高电平才能抵消注入电荷的影响。因此在控制栅上加入正常高电平时，SIMOS不会导通。

22选中字线，Wi高电平浮置栅未注入电荷，SIMOS在字线选中（高电平）时，导通，位线“0”电平。浮置栅注入电荷，SIMOS在字线选中（高电平）时，无法导通，位线“1”电平。注入电荷：写入1；未注入电荷：存入0

23二、E2PROM电信号擦除可编程ROM浮栅隧道氧化层MOS管（Flotox）隧道区GfGC

24Wi（字线）位线T1：存储管T2：选通管浮置栅注入电荷：存入“1”；浮置栅未注入电荷：存入“0”。读出状态：GC上加+3V电压；Wi上加+5V电压

25擦除（写1）状态Wi（字线）位线GC、Wi加+20V脉冲，宽度10ms，漏区接0电平。擦除是将所有单元写1。写入（写0）状态Wi（字线）位线使写入0的存储单元的Flotox管放电浮置栅上的存储电荷通过导电隧道放电。

26三、快闪存储器（FlashMemory）类似于EPROM单管叠栅结构；结构简单、编程可靠；隧道效应擦除；集成度高。

277.3随机存储器RAM7.3.1静态随机存储器SRAM一、SRAM的结构和工作原理SRAM电路：存储矩阵；地址译码器；读/写控制电路

28SRAM的结构框图

2916?1RAM结构

30写控制（0~15）读控制（0~15）64行，16列字线=64行*16列=1024位线=4