CN109865541A 一种扫描电镜原位电化学检测芯片及其制作方法 （厦门大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109865541A

(43)申请公布日2019.06.11

(21)申请号201910183499.7

(22)申请日2019.03.12

(71)申请人厦门大学

地址361005福建省厦门市思明南路422号

(72)发明人廖洪钢江友红林家耀

(74)专利代理机构厦门南强之路专利事务所(普通合伙)35200

代理人马应森

(51)Int.CI.

B01L3/00(2006.01)

C23C14/16(2006.01)

C23C14/24(2006.01)

C23C14/30(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图2页

(54)发明名称

一种扫描电镜原位电化学检测芯片及其制

作方法

(57)摘要

CN109865541A一种扫描电镜原位电化学检测芯片及其制作方法，涉及电化学检测芯片。扫描电镜原位电化学检测芯片设有上片和下片，所述上片由两面带有氮化硅层的硅基片制成，所述两面带有氮化硅层的硅基片上设有两个对称的注液口和一个视窗口；所述下片由两面带有绝缘层和氮化硅层的硅基片制成，所述两面带有绝缘层和氮化硅层的硅基片一面设有参比电极、工作电极和对电极；所述上片和下片通过金属键合层粘接。制作方法：1)制作上片；2)制作下片；3)将上片和下片通过金属键合层粘接，形成一体化扫描电镜原位

CN109865541A

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CN109865541A权利要求书1/2页

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1.一种扫描电镜原位电化学检测芯片，其特征在于设有上片和下片，所述上片由两面带有氮化硅层的硅基片制成，所述两面带有氮化硅层的硅基片上设有两个对称的注液口和一个视窗口；所述下片由两面带有绝缘层和氮化硅层的硅基片制成，所述两面带有绝缘层和氮化硅层的硅基片一面设有参比电极、工作电极和对电极；所述上片和下片通过金属键合层粘接。

2.如权利要求1所述扫描电镜原位电化学检测芯片的制作方法，其特征在于包括以下步骤：

1)制作上片；

2)制作下片；

3)将上片和下片通过金属键合层粘接，形成一体化扫描电镜原位电化学检测芯片。

3.如权利要求2所述扫描电镜原位电化学检测芯片的制作方法，其特征在于在步骤1)中，所述上片具有第一表面和与第一表面相背对的第二表面，上片制作方法如下：

1.1准备两面带有氮化硅层的硅基片，所述硅基片的大小4寸，厚度200μm;

1.2利用光刻工艺，在紫外光刻机曝光10～30s,将注液口图案从光刻掩膜版转移到步骤1.1中的硅基片的第一表面，然后在正胶显影液中显影30～60s,再用去离子水清洗表面；

1.3利用反应离子刻蚀工艺，在步骤1.2中的硅基片第一表面上注液口处的氮化硅刻蚀掉，然后将硅基片第一表面朝上放入丙酮浸泡10～30s,最后用去离子水冲洗；

1.4将步骤1.3中制作出的硅基片第二表面朝上放入质量百分比浓度为5%氢四甲基氢氧化铵溶液中进行湿法刻蚀，刻蚀温度为90℃,刻蚀至第一表面只留下视窗口氮化硅绝缘层薄膜，取出硅基片用离子水冲洗；

1.5利用光刻工艺，将步骤1.4制作出的硅基片在紫外光刻机曝光10～30s,将视窗口图案从光刻掩膜版转移到硅基片第一表面，然后在正胶显影液中显影30～60s,再用去离子水冲洗清洗表面；

1.6利用反应离子刻蚀工艺，在步骤1.5制作出的硅基片第二表面上视窗口处的氮化硅刻蚀掉，然后将硅基片第二表面朝上放入丙酮浸泡10～30s,最后用去离子水冲洗，去掉光刻胶；

1.7将步骤1.6制作出的硅基片第二表面朝上放入质量百分比浓度为5%四甲基氢氧化铵溶液中进行湿法刻蚀，刻蚀温度为90℃,刻蚀至第一表面只留下氮化硅薄膜，取出硅基片用离子水冲洗；

1.8将步骤1.7制作出的硅基片进行激光划片，分成独立上片。

4.如权利要求2所述扫描电镜原位电化学检测芯片的制作方法，其特征在于在步骤2)中，所述下片具有第三表面和与第三表面相背对的第四表面，下片制作方法如下：

2.1准备两面带有绝缘层和氮化硅层的硅基片，硅基片大小4寸，厚度200μm;

2.2利用光刻工艺，在紫外光刻机曝光10～30s,将三电极图案从光刻掩膜版转移到步骤2.1制作出的硅基片第三表面，然后在正胶显影液中显影30～60s,再用去离子水清洗表面；

2.3利用电子束蒸发，在步骤2.2制作出的硅基片第三表面蒸镀一层厚度为80～