CN109301031A N型双面电池的制作方法 （江苏林洋光伏科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN109301031A布日2019.02.01

(21)申请号201811062226.9

(22)申请日2018.09.12

(71)申请人江苏林洋光伏科技有限公司

地址226200江苏省南通市启东市汇龙镇

华石路612号

(72)发明人祁文杰徐硕贤叶枫张耀李云鹏陈景

(74)专利代理机构南京天华专利代理有限责任公司32218

代理人刘畅夏平

(51)Int.CI.

H01L31/18(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图1页

(54)发明名称

N型双面电池的制作方法

(57)摘要

CN109301031A本发明公开了一种N型双面电池的制作方法，包括：S1、硅片去损伤层SDE;S2、硅片背面低表面浓度磷扩散；S3、PSG层外镀SINx膜；S4、硅片正面制绒；S5、使用硼扩管进行高温长时间的推进；S6、去除正面的硼硅玻璃BSG;S7、正面生成氧化铝ALD+氮化硅SINx;S8、印刷及烧结：选取接触性能较好的浆料同时匹配烧结温度。本发明减少了电池片去除PSG及热氧化的步骤，减少了电池的工艺流程及所需去PSG

CN109301031A

SDE(去损伤层)

去BSG

正面SINx+ALD

背面低表面P扩散

高温长时间硼扩

印刷

镀背面SINx

正面制绒

CN109301031A权利要求书1/1页

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1.一种N型双面电池的制作方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

S1、硅片去损伤层SDE;

S2、硅片背面低表面浓度磷扩散，生成PSG层；

S3、PSG层外镀SINx膜，SINx膜厚控制在80～90nm;

S4、硅片正面制绒；

S5、使用硼扩管进行高温长时间的推进，PSG层中的P含量持续降低，将PSG层变为SIO2层；

S6、去除正面的硼硅玻璃BSG;

S7、正面生成氧化铝ALD+氮化硅SINx;

S8、印刷及烧结：选取接触性能较好的浆料同时匹配烧结温度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤S1中，减薄厚度在8-9um,减薄量控制在0.45-0.5g。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤S2中，硅片背面采用通过减小磷源量及两步低温沉积获得较低表面浓度，具体的：

一磷源量从188sccm减少到100sccm;

-750℃沉积10min;

-780℃沉积8min;

经过上述操作，生的的PSG层方阻从80ohm升高到95ohm;同时磷硅玻璃PSG中的磷含量降低。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤S3中，SINx膜厚85nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤S4中，硅片正面制绒过程中制绒减薄量控制在0.3g以内。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于在硅片正面制绒过程前还有一个HF清洗的过程，用以去除背面镀膜时产生的正面绕镀，减少边缘漏电。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤S5中，所述高温为1000℃,长时间为2h;经过该操作，磷硅玻璃PSG中的磷浓度进一步降低，降低了硅片正面的表面浓度和增加结深，表面浓度降低到1E19cm?3,结深增加到1.2um。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤S7中，氧化铝ALD厚度6nm,正面氮化硅SINx厚度为78nm,折射率为2.07。

CN109301031A说明书1/3页

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N型双面电池的制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及一种N型太阳电池制作工艺，具体是一种N型双面电池的制作方法。

背景技术

[0002]目前P型晶硅电池占据市场的绝对份额。然而，不断追求效率提升和成本降低是光伏行业永恒的主题。N型单晶硅较常规单晶具有少子寿命高，光致衰减小等优点，具有更大的效率提升空间，同时N型单晶组件具有弱光响应好，温度系数低等优点。因此，N型单晶系统具有发电量高和可靠性高的双重优势。N型电池的制作工艺较P型工艺工序多，时间长，成本较高，如何降低成本是N型电池生产的关键。

发明内容

[0003]本发明针对背景技术中存在的问题，提出一种工序少、工艺时间短、成本低的N型双面电池的制作方法。

[0004]