CN109300922B 一种基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片及其制作方法 （上海大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN109300922B公告日2020.09.01

(21)申请号201811197488.6

(22)申请日2018.10.15

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN109300922A

(43)申请公布日2019.02.01

(73)专利权人上海大学

审查员张文璐

地址200444上海市宝山区上大路99号

(72)发明人金钻明林贤马国宏张顺浓李炬赓

(74)专利代理机构北京金智普华知识产权代理有限公司11401

代理人杨采良

(51)Int.CI.

H01L27/144(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图4页

(54)发明名称

一种基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片及其制作方法

(57)摘要

CN109300922B本发明属于光电功能器件技术领域，公开了一种基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片及其制作方法，利用物理或化学镀膜方法，在衬底基片上相继镀有多层磁性金属薄膜和非磁性金属薄膜，组成复合膜结构；通过复合膜结构的设计，利用逆自旋霍尔效应产生强太赫兹辐射；同时在复合膜结构中设计铁磁钉扎层，以之取代外置磁场，从而减小太赫兹辐射器件的体积。本发明可实现太赫兹发射芯片的制备；通过控制复合膜结构中不同的材料与薄膜厚度，实现太赫兹辐射效率、带宽及偏振态的调控；本太赫兹发射芯片所辐射的电磁波频率范围为0.1THz～10THz,脉冲

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CN109300922B权利要求书1/1页

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1.一种基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片，其特征在于，利用逆自旋霍尔效应在设计的有铁磁钉扎层的复合膜结构中产生强太赫兹辐射；所述基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片设置有衬底；

从衬底往上使用物理或化学镀膜方法依次镀有：反铁磁性钉扎层、经钉扎层、氧化物势垒层、第二金属层、铁磁层、第一金属层、覆盖层；其中，铁磁层、反铁磁钉扎层均具有平面内的磁化方向；第二金属层、铁磁层、第一金属层构成太赫兹波发射的异质结构。

2.如权利要求1所述的基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片，衬底的材料选择高阻硅片、石英片、氧化镁或蓝宝石。

3.如权利要求1所述的基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片，反铁磁性钉扎层的材料选择MnIr、MnAu、CoMnSi或CoFeAl。

4.如权利要求1所述的基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片，钉扎层的厚度为2~10

nm。

5.如权利要求1所述的基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片，氧化物势垒层的材料为Mg0;厚度2nm。

6.如权利要求1所述的基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片，金属层材料为具有自旋轨道耦合效应大的非磁性金属，或者具有自旋轨道耦合效应的磁性金属；金属材料为：Au,Pd,Cr,Ta,W,Pt或Ru;

金属层厚度为1~10nm。

7.如权利要求1所述的基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片，铁磁层具有强的磁性；铁磁层材料为NdFeB、NiFe、CoPt、Co?MnSn或CoFeB;

铁磁层厚度为1~10nm。

8.如权利要求1所述的基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片，覆盖层为氧化物或者惰性金属；覆盖层材料为Mg0,Au或Ta;

覆盖层厚度为2-4nm。

9.一种如权利要求1所述基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片的制作方法，包括：

利用物理或化学镀膜方法，在衬底基片上相继镀有多层磁性金属薄膜和非磁性金属薄膜，组成复合膜结构；通过复合膜结构利用逆自旋霍尔效应产生强太赫兹辐射；同时在复合膜结构中设计反铁磁性钉扎层，取代外置磁场；通过控制复合膜结构中不同的材料与薄膜厚度，实现太赫兹辐射效率、带宽及偏振态的调控。

10.如权利要求9所述的基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片的制作方法，辐射的电磁波频率为0.1THz~10THz,脉冲能量为微焦量级。

CN109300922B说明书1/6页

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一种基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片及其制作方法

技术领域

[0001]本发明属于光电功能器件技术领域，尤其涉及一种基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片及其制作方法。