半导体物理讲义-6.docVIP

第三部分载流子输运现象

半导体导电性

电导率（电阻率）

实际问题中，通过半导体的电流往往是不均匀的。不能只讲通过半导体的总电流强度而必须具体地分析电流的不均匀分布。

图1用探针测电流图2集成片的电流分布

（图1电流形成一个以探针针尖为中心、沿半径四外散开的电流分布

图2从表面向内，每一层杂质浓度都不一样，通过它的电流在各层之间是不均匀的，越近表面电流越强。）

为了描述导电体内各点电流强弱的不均匀性，通常采用欧姆定律的微分形式：

可从欧姆定律导出，取一个长为L，横截面为S的均匀导电体，当两端加电压V时，在这样一个形状规则的均匀材料中，电流是均匀的，电流密度j在各处是一样的。

总电流强度

同时，电场强度也是均匀的，有

则，

得，

其中，即材料的电阻率。单位：

定义，，称为电导率。单位：

所以，欧姆定律的微分形式。单位：安培／厘米2(A/cm2)；

注意：在这里，微分形式的欧姆定律虽然是从均匀导电情况导出的，显然，它也适用于非均匀的情况。因为对于非均匀导体，我们可以取一个小体积元，当小体积元足够小时，可以看成是均匀的。

从微分欧姆定律看出，材料的导电能力是用电导率来表示。通过前面学习已知，一般掺杂半导体在常温范围内导电性能主要由掺杂决定。那末，电导率和掺杂是什么关系呢?

要解决这个问题，就有必要分析—下，在电场作用下载流子如何形成电流的机理。下面我们结合N型半导体分析这个问题。

我们应当知道，即使没有电场作用，电子也并不是静止不动的，而是象气体中分子那样，杂乱无章地进行热运动。由于电子质量比分子小得多，所以，电子热运动的速度比气体分子要大得多。具体说，按照热运动理论，微观粒子无规则热运动的平均动能与绝对温度T有如下关系：

平均热运动动能

如果用Vt表示半导体中电子的平均热运动速度，T=300K,并且代入电子质量m。＝9.1×10-31kg:

尽管电子以这么高的速度作热运动，但因为运动是无规则的，运动效果相互抵消，并不形成电流。但是，当有电场存在时，它对电子的作用力使所有电了都沿着电场力的方向，产生一定的速度。这种在载流子作无规则热运动的同时，由于电场作用而产生的、沿电场力方向的运动叫作电子漂移运动。如果用表示电子在电场作用下获得的平均漂移速度，则产生的电流密度可写成

n是半导体中电子浓度。n,q都与E无关。

所以这是个从实验中总结的微分欧姆定律，表明载流子漂移速度是与电场强度成正比的。因此可写为

系数称为电子的迁移率。从数值上讲，迁移率等于单位电场作用下的漂移速度。

常用单位：cm2/v.s

进一步与微分欧姆定律比较，得：

因为在掺杂半导体中，常温下电子浓度n基本上等于施主杂质的浓度Nd。所以，上式实际上表明了电导率与掺杂浓度的关系。

对P型半导体可以作完全相同的分析，唯一的差别是空穴代替了电子成为载流子。空穴迁移率的具体数值和电子一般是不相同的。为了区别起见，常用和分别代表电子和空穴的迁移率。

N型半导体的电导率

p型半导体的电导率

通常从室温到低温的范围，电子或空穴相对于另一方的少数载流子数目都很大，因此上式

成立。但是，随着温度升高，半导体的载流子分布进入本征温度范围。一且价带的屯子被

激发到导带，价带中便产生空穴，这同样有助于电流的形成。这时半导体普遍表示为

注意：电子和空穴的迁移率在不同半导体材料中是不相同的。就是在同—种半导体材料中，和也是要随温度和掺杂而变化的。

例如，在常温下(T＝300K)，较纯的硅材料中，电子和空穴的迁移率由试验测定为＝1350cm2／v·s；=480cm2／v·s；

实际工作中的电导率（电阻率）实验测试方法：

图测定电导和霍尔效应的结构图

实际求电导率时，如图所示，若实测试件电流为Ix=abjx，施加给试件的电压为Vx=lEx即可求出

（根据电导率和载流子浓度估算迁移率的数值，这类问题在实际工作中经常遇到。）

迁移率

迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。从前章节看到到，掺杂半导体的导电率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高

在不同的半导体材料里，电子和空穴两种载流子的迁移率都是不相同的。

下表列出在常温下测出的较高纯度的Si、Ge、GaAs的电子和空穴的迁移率。

迁移率的大小不仅关系着导电能力的强弱，而且直接决定着载流子运动(漂移以及后面要讲的扩散)的快慢。它对半导体导体器件有直接的影响。例如，Si的NPN晶体管比PNP晶体管更适合于做高频器件，MOS的N沟道器件比P沟道器件能以更高的速度工作，就是因为