CN109979825A 阵列批次式封装元件晶粒的电路元件制作方法 （胡志良）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109979825A

(43)申请公布日2019.07.05

(21)申请号201811532954.1

(22)申请日2018.12.14

(30)优先权数据

1061441252017.12.15TW

1061441262017.12.15TW

(71)申请人胡志良

地址中国台湾台北市

(72)发明人胡志良胡哲恺

(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司72003

代理人黄艳

(51)Int.CI.

H01L21/48(2006.01)

H01L21/60(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图5页

(54)发明名称

阵列批次式封装元件晶粒的电路元件制作方法

(57)摘要

CN109979825A一种以多单位的阵列形态同时封装多个单位的元件晶粒以批次制作电路元件的方法，其步骤包含：于基底阵列铜板上形成阵列中每一电路元件的至少二端电极初步构造；其后为每一电路元件取置元件晶粒；再为每一电路元件取置水平导电片，其水平一侧的底接面对置于元件晶粒体顶面的电极；然后为每一电路元件取置垂直导电块。之后进行回焊，将晶粒体底面电极与其对应的基底阵列铜板的端电极初步构造表面间的预施焊锡料，水平导电片其底接面与其对应的晶粒体顶面电极间的预施焊锡料，垂直导电块上端与其对应的水平导电片垂直接孔内垂直接面间的预施焊锡料，垂直导电块下端底接面与其对应的

CN109979825A

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CN109979825A权利要求书1/2页

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1.一种以多单位的阵列形态同时封装多个单位的元件晶粒以批次制作电路元件的方法，元件晶粒体上包含有至少二电极，其中，至少一电极位于元件晶粒体顶面，其余电极则位于相反对应的晶粒体底面，该方法将每一电路元件其所封装保护的元件晶粒的每一电极电性连接至电路元件构体的一对应端电极，其包含有下列步骤：

于一基底阵列铜板上形成阵列中每一电路元件的至少二端电极初步构造；

为每一电路元件取置元件晶粒，使晶粒体底面电极面对基底阵列铜板的至少二端电极初步构造中的一对应端电极初步构造的表面；

为每一电路元件取置一水平导电片，其水平一侧的一底接面对置于元件晶粒体顶面的电极；

为每一电路元件取置一垂直导电块，其上端置入水平导电片其水平另一侧的一垂直接孔内，其具有一垂直接面以与垂直导电块上端对接，垂直导电块下端的一底接面则对置于基底阵列铜板的至少二端电极初步构造中的一对应端电极初步构造的表面；与，

进行回焊，将晶粒体底面电极与其所对应的基底阵列铜板的端电极初步构造表面间的预施焊锡料，水平导电片其底接面与其所对应的晶粒体顶面电极间的预施焊锡料，垂直导电块上端与其所对应的水平导电片垂直接孔内垂直接面间的预施焊锡料，与垂直导电块下端底接面与其所对应的端电极初步构造表面间的预施焊锡料，全皆同时融熔后固焊。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，该水平导电片的洞孔是具有完整周缘的洞孔。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，该水平导电片的洞孔是不具完整周缘的开放洞孔。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，回焊处理之后还包含有：

形成水气密隔绝封装结构，其包覆基底阵列铜板上所固焊的元件晶粒，水平导电片，及垂直导电块；

对基底阵列铜板的底面进行减法处理，以分离该阵列中所有个别电路元件的所有端电极；与

切割水气密隔绝封装结构以将阵列中所有个别电路元件实体分离开。

5.根据权利要求4所述的方法，还包含有：

于减法处理，阵列中所有个别电路元件的所有端电极皆分离之后，对每一个别端电极进行镍-金或镍-锡镀覆处理。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，该电路元件是具有二、三或更多端电极的离散式电路元件。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，该电路元件是二极管。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，该电路元件是晶体管。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，该电路元件是光耦合开关。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，该电路元件是具有至少四端电极的集成电路元件。

11.一种以多单位的阵列形态同时封装多个单位的元件晶粒以批次制作电路元件的方法，元件晶粒体上包含有至少二电极，其中，至少一电极位于元件晶粒体顶面，其余电极则位于相反对应的晶粒体底面，该方法将每一电路元件其所封装保护的元件晶粒的每一电极电性连接至电路元件构体的一对应端电极，其包含有下