CN109004049A 光电探测器及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109004049A

(43)申请公布日2018.12.14

(21)申请号201810822057.8

(22)申请日2018.07.24

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高科技

园区高斯路497号

(72)发明人武青青朱建军胡少坚

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务

所(普通合伙)31237代理人郑星

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1L

31/0352(2006.01)31/18(2006.01)

31/101(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图3页

(54)发明名称

光电探测器及其制作方法

(57)摘要

CN109004049A本发明提供了一种光电探测器及其制作方法，通过在基底上自下而上依次设置第一电极、空穴传输层、包含有钙钛矿的光敏活性层、电子传输层和第二电极制作出具有垂直结构的光电探测器。所述光敏活性层中的钙钛矿与电子传输层之间形成PN结，从而构造了内建电场，由此仅需在第一电极和第二电极间施加OV偏压即可将光敏活性层产生的空穴和电子分离开来，实现了光电探测器的低驱动电压，有利于产品功耗的降低，而且空穴传输层和电子传输层分别设置在光敏活性层的上方和下方，这种垂直设置方式可加速空穴和电子的传输，由此提高了光电探测器的光电流，进而提高器件的光响应度；同时，所述光

CN109004049A

CN109004049A权利要求书1/1页

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1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器具有垂直结构，所述光电探测器包括自下而上依次设置的基底、第一电极、空穴传输层、光敏活性层、电子传输层以及第二电极，所述光敏活性层的材料包括钙钛矿；且所述光敏活性层下方的各层均为透光的，和/或，所述光敏活性层上方的各层均为透光的。

2.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光敏活性层包括二维结构或三维结构的钙钛矿。

3.如权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述钙钛矿的分子式为L?Kn-1QnX?n+1或KQX?,其中L为PEA和/或BA?,K为CH(NH?)2?、CH?NH?、CH?CH?NH?、N(CH?)4+、C(NH?)3和Cs+中的至少一种，Q为Pb2+、Sn2+、Ge2+、Cu2+、Ni2+、Mn2+、Sb2+、Zn2+、Fe2+和Bi2+中的至少一种，X为C1、Br、I、CNS?、BF?和PF?中的至少一种，n大于等于2。

4.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述基底为硬质基底或柔性基底。

5.如权利要求1至4中任一项所述的光电探测器，其特征在于，在所述第一电极和所述第二电极间施加的偏压为0V。

6.一种光电探测器的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上设置第一电极；

在所述第一电极上设置空穴传输层；

在所述空穴传输层上设置光敏活性层，所述光敏活性层的材料包括钙钛矿；

在所述光敏活性层上设置电子传输层；以及

在所述电子传输层上设置第二电极。

7.如权利要求6所述的光电探测器的制作方法，其特征在于，在所述基底上设置第一电极的方法包括喷涂或蒸镀；和/或，在所述第一电极上设置空穴传输层的方法包括旋涂、喷涂或蒸镀；和/或，在所述空穴传输层上设置光敏活性层的方法包括旋涂或喷涂；和/或，在所述光敏活性层上设置电子传输层的方法包括旋涂、喷涂或蒸镀；和/或，在所述电子传输层上设置第二电极的方法包括蒸镀或溅镀。

8.如权利要求7所述的光电探测器的制作方法，其特征在于，所述钙钛矿形成的方法包括：将苯基乙胺、碘甲胺、碘化亚铅分散在N,N-二甲基甲酰胺中搅拌，以得到前驱体溶液；再将所述前驱体溶液旋涂或喷涂在所述空穴传输层上。

9.如权利要求6所述的光电探测器的制作方法，其特征在于，在所述第一电极上形成空穴传输层之前，对形成有所述第一电极的所述基底进行臭氧预处理；和/或，在所述第一电极上形成空穴传输层之后，进行退火处理；和/或，在所述电子传输层上形成所述第二电极之前，先在所述电子传输层上形成一层缓冲层。

10.如权利要求6至9中任一项所述的光电探测器的制作方法，其特征在于，所述基底为硬质基底或柔性基底，当所述基底为柔性基底时，提供所述基底的步骤包括将所述柔性基底固定在一硬质载体上；且当所述光电探测器制作完成后，去除所