2026版高级电工(官方)-电子技术基础参考试题库历年考点答案解析5套试卷版.docxVIP

  • 0
  • 0
  • 约2.46万字
  • 约 58页
  • 2026-02-13 发布于四川
  • 举报

2026版高级电工(官方)-电子技术基础参考试题库历年考点答案解析5套试卷版.docx

2026版高级电工(官方)-电子技术基础参考试题库历年考点答案解析(第1套)

一、选择题

从给出的选项中选择正确答案(共20题)

1、关于半导体二极管反向恢复时间(tsubrr/sub)的影响因素,以下哪项正确?

A.正向电压增大时tsubrr/sub缩短

B.反向电压增大时tsubrr/sub缩短

C.肖特基二极管的tsubrr/sub比普通硅管更短

D.tsubrr/sub与二极管结面积无关

A.正向电压增大时tsubrr/sub缩短

B.反向电压增大时tsubrr/sub缩短

C.肖特基二极管的tsubrr/sub比普通硅管更短

D.tsubrr/sub与二极管结面积无关

【参考答案】D

【解析】反向恢复时间由载流子存储与释放过程决定。选项A错误,正向电压增大会延长存储时间;选项B错误,反向电压仅影响击穿特性,与恢复时间无直接关系;选项C错误,肖特基二极管因金属接触无存储电荷,但结面积越大载流子密度越高,反而可能增加恢复时间;选项D正确,tsubrr/sub与结面积无关,主要取决于材料特性与工艺。

2、运算放大器组成负反馈电路时,若希望稳定输出电压且提高输入阻抗,应选择哪种反馈类型?

A.电压并联负反馈

B.电流串联负反馈

C.电压串联负反馈

D.电流并联负反馈

A.电压并联负反馈

B.电流串联负反馈

C.电压串联负反馈

D.电流并联负反馈

【参考答案】C

【解析】电压串联负反馈通过电压采样与串联输入实现双重调节:①电压并联负反馈(A)会降低输入阻抗,适合电流调节;②电流串联负反馈(B)输入阻抗较高但无法稳定电压;③电压串联负反馈(C)通过串联补偿电压变化,同时保持高输入阻抗;④电流并联负反馈(D)输入阻抗虽高但稳定性差。因此选C。

3、在电子电路中,二极管的主要功能不包括以下哪项?

A.整流

B.稳压

C.检波

D.开关

【参考答案】C

【解析】二极管的核心特性是单向导电性,应用包括整流(A)、稳压(B)和开关(D)。检波(C)是三极管或晶体管电路的功能,需结合高频信号与滤波电路实现,因此正确答案为C。

4、运算放大器组成反相放大器时,负反馈的连接方式属于哪种类型?

A.电压并联负反馈

B.电压串联负反馈

C.电流并联负反馈

D.电流串联负反馈

【参考答案】A

【解析】反相放大器通过外部电阻连接反馈网络,将输出电压以并联方式接入运放反相端,形成电压并联负反馈(A)。电压串联(B)适用于同相放大器,电流反馈(C/D)需通过电阻分压或分流实现,与反相结构不符。

5、在单相整流电路中,二极管的主要作用是()

A.提高电压稳定性

B.实现单向导电

C.增强信号放大能力

D.降低电路功耗

A.提高电压稳定性

B.实现单向导电

C.增强信号放大能力

D.降低电路功耗

【参考答案】B

【解析】二极管的核心特性是单向导电性,在整流电路中通过正向导通和反向截止实现交流电到直流电的转换。选项A对应稳压二极管功能,C为三极管作用,D与二极管特性无关。

6、三极管放大电路中,β值(电流放大系数)表示()

A.基极电流与集电极电流之比

B.集电极电流与基极电流之比

C.集电极电流与发射极电流之比

D.发射极电流与基极电流之比

A.基极电流与集电极电流之比

B.集电极电流与基极电流之比

C.集电极电流与发射极电流之比

D.发射极电流与基极电流之比

【参考答案】B

【解析】β值定义为集电极电流与基极电流的比值(β=IC/IB),反映三极管对输入电流的控制能力。选项A是1/β值,C为(β+1)倍,D与三极管工作原理无关。

7、在晶体管放大电路中,若基极电流\(I_B=0\),则三极管处于()。

A.饱和状态

B.截止状态

C.放大状态

D.击穿状态

【参考答案】B

【解析】晶体管工作状态由基极电流决定。当\(I_B=0\)时,集电极电流\(I_C\)趋近于0,此时三极管无法导通,处于截止状态。饱和状态需\(I_B\)足够大,放大状态需\(I_B\)介于截止和饱和之间,击穿状态由反向偏置电压引起,均与\(I_B=0\)矛盾。

8、某电子设备电源含高频噪声干扰,为抑制此类干扰应选用()滤波电路。

A.低通

B.高通

C.带通

D.带阻

【参考答案】A

【解析】低通滤波电路允许频率低于截止频率的信号通过,可有效滤除高频噪声(噪声频率高于截止频率)。高通电路用于保留高频信号,带通和带阻分别针对特定频段,均不符合高频噪声抑制需求。

9、关于半导体器件特性,下列哪项描述错误?

A.稳压二极管在反向击穿时电压稳定

B.普

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档