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脉冲激光沉积工艺下不同衬底对GaN薄膜生长的影响研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电器件和电子器件领域，GaN（氮化镓）薄膜因其独特的物理性质而备受瞩目。GaN具备宽禁带（约3.4eV）、高击穿电场、高电子迁移率和高热导率等优异特性，使其在蓝光发光二极管（LED）、激光二极管（LD）、高电子迁移率晶体管（HEMT）以及紫外探测器等光电器件中展现出不可替代的作用。蓝光LED的发明革新了照明领域，让人类迈入了高效节能照明的新时代；基于GaN的HEMT则在高频、高功率电子器件中发挥关键作用，广泛应用于5G通信基站、雷达系统等，显著提升了信号处理和传输的效率。

不同衬底对GaN薄膜的生长有着至关重要的影响。衬底与GaN薄膜之间的晶格匹配度、热膨胀系数差异等因素，直接决定了GaN薄膜生长过程中的应力状态、晶体质量和缺陷密度。例如，晶格失配会导致薄膜生长过程中产生位错等缺陷，这些缺陷不仅影响薄膜的电学性能，还会降低光电器件的发光效率和可靠性。热膨胀系数的不匹配则可能在薄膜生长和器件工作过程中引入热应力，严重时甚至导致薄膜龟裂或器件失效。因此，选择合适的衬底对于获得高质量的GaN薄膜、提升光电器件性能具有关键意义。

脉冲激光沉积（PLD）工艺作为一种先进的薄膜制备技术，在生长GaN薄膜方面展现出独特优势。PLD工艺能够在高真空环境下精确控制薄膜的生长，通过脉冲激光对靶材的轰击，可实现原子级别的薄膜生长，从而精确调控薄膜的成分和结构。研究PLD工艺在不同衬底上生长GaN薄膜，有助于深入理解衬底-薄膜相互作用机制，优化薄膜生长工艺，获得高质量的GaN薄膜，为光电器件的性能提升和应用拓展提供坚实的材料基础。

1.2国内外研究现状

国内外众多科研团队围绕脉冲激光沉积工艺生长GaN薄膜及不同衬底选择展开了广泛研究。在PLD工艺生长GaN薄膜方面，国外研究起步较早，一些知名科研机构如美国的麻省理工学院（MIT）和日本的东京大学，通过优化激光能量密度、脉冲频率和衬底温度等工艺参数，在提升GaN薄膜晶体质量上取得了显著成果。他们发现，适当提高衬底温度能够促进GaN原子在衬底表面的迁移和扩散，从而减少薄膜中的缺陷，提高结晶质量。国内的清华大学、中国科学院半导体研究所等单位也在该领域积极探索，通过自主研发的PLD设备，在生长速率控制和薄膜均匀性方面取得了重要突破，实现了大面积、高质量GaN薄膜的制备。

在衬底选择研究方面，蓝宝石（Al?O?）衬底由于其良好的化学稳定性和相对成熟的制备工艺，成为最早且应用最广泛的GaN薄膜生长衬底。国内外学者针对蓝宝石衬底上生长GaN薄膜开展了大量研究，深入分析了晶格失配和热膨胀系数差异对薄膜质量的影响，并提出了诸如缓冲层生长等改进措施来降低缺陷密度。碳化硅（SiC）衬底因其与GaN具有较小的晶格失配和热膨胀系数匹配度，近年来受到广泛关注。国外已有研究成功在SiC衬底上生长出高质量的GaN薄膜，并应用于高性能HEMT器件，展现出优异的高频、高功率性能。国内相关研究也在不断跟进，致力于突破SiC衬底制备技术和GaN薄膜生长工艺，提高器件的国产化水平。

尽管国内外在这一领域取得了诸多成果，但仍存在一些研究空白与不足。例如，对于一些新型衬底材料，如氧化镓（Ga?O?）等，其与GaN的晶格匹配和热适配特性研究尚不够深入，在这些衬底上生长高质量GaN薄膜的工艺还不成熟。此外，不同衬底对GaN薄膜微观结构和电学、光学性能的影响机制尚未完全明晰，需要进一步深入研究。

1.3研究内容与方法

本研究将聚焦于在蓝宝石（Al?O?）、碳化硅（SiC）和氧化镓（Ga?O?）这三种具有代表性的衬底上，利用脉冲激光沉积工艺生长GaN薄膜。选择这三种衬底的原因在于，蓝宝石衬底应用广泛，研究其生长特性有助于进一步优化现有工艺；碳化硅衬底在高频、高功率器件应用中潜力巨大，深入研究其与GaN薄膜的生长关系具有重要实际意义；氧化镓作为新型衬底材料，探索其在GaN薄膜生长中的应用，有望开辟新的研究方向。

在脉冲激光沉积工艺参数设置方面，将系统研究激光能量密度在1-5J/cm2、脉冲频率在1-10Hz以及衬底温度在600-1000℃范围内变化时，对GaN薄膜生长质量的影响。通过调节这些参数，寻找不同衬底上生长高质量GaN薄膜的最佳工艺窗口。

采用多种先进的薄膜性能表征方法对生长的GaN薄膜进行全面分析。利用X射线衍射（XRD）技术测定薄膜的晶体结构和取向，通过XRD图谱分析薄膜的结晶质量和晶格常数；使用原子力显微镜（AFM）观察薄膜表面形貌，获取薄膜的表面粗