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Si基GaNLED可靠性的多维度剖析与提升策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，半导体照明技术凭借其高效、节能、环保等诸多优势，成为了照明领域的研究热点与发展方向。氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）作为半导体照明的核心器件，以其宽禁带、高电子迁移率等优良特性，在照明、显示等众多领域展现出了巨大的应用潜力。其中，Si基GaNLED因硅衬底具有成本低、尺寸大、工艺成熟等突出优点，吸引了科研人员与产业界的广泛关注。

在照明领域，随着人们对节能环保意识的不断增强，高效节能的照明产品需求日益增长。Si基GaNLED凭借其高发光效率，能够显著降低能源消